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時間:2026-04-05    作者:admin 點(diǎn)擊: ( 1 ) 次

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    【摘要】省略其它視圖。 成套立體圖【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】JMP紐柯有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】香港九龍九龍灣【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】香港特別行政區(qū)【申請?zhí)枴緾N91300378.6【申請日】1991-02-23【

    發(fā)布時間:2026-04-05

    【摘要】一種分組恒流、恒壓充電方式、穩(wěn)壓型的鎘鎳電 池分、合閘整流裝置,實現(xiàn)只有在電網(wǎng)故障情況下才 由鎘鎳電池供電,分組恒流、恒壓充電方式,可以保證 性能十分接近的分組內(nèi)各電池處于最合理的充電狀 態(tài),而對性能不同的各分組電池則分別充電??刂?/p>

    發(fā)布時間:2026-04-05

    【摘要】本實用新型提供了一種填料蒸發(fā)式空氣冷卻器, 它包括:擋水板、水池、潛水電泵、噴水裝置、冷卻器。 目前的冷卻器,用水量大,管道結(jié)構(gòu)復(fù)雜,補(bǔ)充水量也 較大,本實用新型是用蒸發(fā)冷卻填料代替了冷卻管, 使冷卻器的結(jié)構(gòu)簡單,節(jié)省了大量的鋼材,

    發(fā)布時間:2026-04-05

    【摘要】平面型產(chǎn)品,后視圖無圖案,省略后視圖?!緦@愋汀客庥^設(shè)計【申請人】上海黎輝絨繡藝術(shù)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201300上海市南匯區(qū)南匯工業(yè)園區(qū)滬南路9828號307室6號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請

    發(fā)布時間:2026-04-05

    【摘要】本發(fā)明公開了提高半導(dǎo)體芯片良品率的方法,包括下列步驟:在晶圓表面涂覆一層負(fù)光阻;將晶圓識別碼區(qū)域與光罩對準(zhǔn);用少于非晶圓識別碼區(qū)域的曝光能量,在晶圓識別碼區(qū)域進(jìn)行第一次曝光;相對第一次曝光位置進(jìn)行偏移,用少于非晶圓識別碼區(qū)域的曝光能

    發(fā)布時間:2026-04-05

    【摘要】一種貼片式高分子基ESD兩路集成防護(hù)器件的制造方法,以芯材為主體,另有端電極、爬錫孔和基板,芯材為高分子粘合劑、導(dǎo)體粒子、半導(dǎo)體粒子和絕緣粒子構(gòu)成,其芯材制造依次為:將一種或一種以上高分子粘合劑攪拌均勻;添加導(dǎo)體粒子,攪拌布均勻;添

    發(fā)布時間:2026-04-05
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