【專利類型】外觀設計【申請人】上海東龍服飾有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201300上海市浦東南匯工業(yè)園區(qū)南蘆路8號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】浦東新區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630190971.3【申請日】2
【摘要】 一種廉價多晶硅薄膜太陽電池，結(jié)構(gòu)為背電極/ 襯底/制有P－N結(jié)的多晶硅薄膜/柵狀上電極，在電池入射光表 面有氮化硅減反射膜，其特征在于：在襯底和制有P－N結(jié)的 多晶硅薄膜之間還有重摻P+層 及阻擋襯底雜質(zhì)向多晶硅薄膜擴散的 SiO2隔離層；所說的襯底是選用 低品質(zhì)的多晶硅片，其純度＜4N。本發(fā)明的最大優(yōu)點是：在襯 底和制有P－N結(jié)的多晶硅薄膜之間增加了 SiO2隔離層和重摻 P+層，使得低品質(zhì)的多晶硅片襯 底順利用于太陽電池，大大降低了電池的制作成本，有利于薄 膜太陽電池的產(chǎn)業(yè)化，進而有利于低成本光伏發(fā)電的實現(xiàn)。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院上海技術物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200083上海市玉田路500號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610117155.9 【申請日】2006-10-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1933185A 【公開公告日】2007-03-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100416863C 【授權(quán)公告日】2008-09-03 【授權(quán)公告年份】2008.0 【發(fā)明人】褚君浩; 石剛; 高文秀; 石富文 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種廉價多晶硅薄膜太陽電池，結(jié)構(gòu)為背電極(1)/襯底(2)/制有P-N結(jié)的多晶硅薄膜/柵狀上電極(7)，在電池的入射光表面有氮化硅減反射膜(8)， 其特征在于：在襯底(2)和制有P-N結(jié)的多晶硅薄膜之間還有重摻P+層(4)和 SiO2隔離層(3)；在SiO2隔離層中開有可使背電極和上電極構(gòu)成電回路的窗口 (301)；所說的襯底(2)是選用低品質(zhì)的多晶硅片，其純度＜4N。 【當前權(quán)利人】中國科學院上海技術物理研究所 【當前專利權(quán)人地址】上海市玉田路500號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數(shù)】10 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】8.0 【家族被引證次數(shù)】10
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