【摘要】本發(fā)明是通過化合物硝酸銨和氯化鈉反應(yīng)采用浮選法制取硝酸鈉和氯化銨的聯(lián)產(chǎn)工藝，利用了同離子效應(yīng)防止了逆反應(yīng)的發(fā)生。利用靜態(tài)結(jié)晶和浮選手段達(dá)到NaNO3和NH4Cl混晶分層浮選的目的。整個(gè)聯(lián)產(chǎn)工藝是一個(gè)投入產(chǎn)出閉路循環(huán)系統(tǒng)，生產(chǎn)過程中不
【摘要】 本發(fā)明公開了提高半導(dǎo)體芯片良品率的方法，包括下列步驟：在晶圓表面涂覆一層負(fù)光阻；將晶圓識別碼區(qū)域與光罩對準(zhǔn)；用少于非晶圓識別碼區(qū)域的曝光能量，在晶圓識別碼區(qū)域進(jìn)行第一次曝光；相對第一次曝光位置進(jìn)行偏移，用少于非晶圓識別碼區(qū)域的曝光能量，在晶圓識別碼區(qū)域進(jìn)行第二次曝光；進(jìn)行顯影處理，在晶圓識別碼區(qū)域與非晶圓識別碼區(qū)域相鄰接邊緣將曝光的部分留下，未曝光的部分顯影，制作完整的焊接凸點(diǎn)。所述的用少于非晶圓識別碼區(qū)域的曝光能量在晶圓識別碼區(qū)域進(jìn)行雙重曝光，避免了與晶圓識別碼區(qū)域相接的非晶圓識別碼區(qū)域中的幾塊芯片邊緣產(chǎn)生不必要的曝光而形成負(fù)光阻殘余，使焊接凸點(diǎn)位不會消失，從而提高了芯片的良品率。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201203上海市浦東新區(qū)張江路18號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】浦東新區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610027582.8 【申請日】2006-06-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101089730A 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100576073C 【授權(quán)公告日】2009-12-30 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】G03F7/00; H01L21/00 【發(fā)明人】王津洲; 李德君; 靳永剛 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種提高半導(dǎo)體芯片良品率的方法，包括下列步驟： 在晶圓表面涂覆一層負(fù)光阻； 將晶圓識別碼區(qū)域與光罩對準(zhǔn)； 用少于非晶圓識別碼區(qū)域的曝光能量，在晶圓識別碼區(qū)域進(jìn)行第一次曝 光； 相對第一次曝光位置進(jìn)行偏移，用少于非晶圓識別碼區(qū)域的曝光能量，在 晶圓識別碼區(qū)域進(jìn)行第二次曝光； 進(jìn)行顯影處理，在晶圓識別碼區(qū)域與非晶圓識別碼區(qū)域相鄰接邊緣將曝光 的部分留下，未曝光的部分顯影，制作完整的焊接凸點(diǎn)。 【當(dāng)前權(quán)利人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司; 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市浦東新區(qū)張江路18號; 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(外國法人獨(dú)資) 【統(tǒng)一社會信用代碼】91310115710939629R 【引證次數(shù)】1.0 【被引證次數(shù)】4 【他引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】6.0 【家族被引證次數(shù)】4
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