【摘要】本發(fā)明涉及提高DRAM存儲(chǔ)單元電容器面積的方法,該方法包括:在硅襯底上形成DRAM的字線;在硅襯底上形成淺溝隔離;制作位線;電介質(zhì)覆蓋,并形成存儲(chǔ)電容的接觸窗;填充材料到接觸窗;交替形成兩種電介質(zhì)層;第一次刻蝕形成電容器圖案;第二次
【摘要】 請(qǐng)求保護(hù)的外觀設(shè)計(jì)包含有色彩。 【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】社團(tuán)法人浦東新區(qū)工程師協(xié)會(huì); 禇秋瓊 【申請(qǐng)人類型】個(gè)人,機(jī)關(guān)團(tuán)體 【申請(qǐng)人地址】201203上海市張江高科技園區(qū)郭守敬路189號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】浦東新區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630044009.9 【申請(qǐng)日】2006-11-02 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN300691203D 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN300691203D 【授權(quán)公告日】2007-09-19 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】禇秋瓊 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】社團(tuán)法人浦東新區(qū)工程師協(xié)會(huì); 禇秋瓊 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市張江高科技園區(qū)郭守敬路189號(hào);
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載:http://m.duba2008.cn/1775393128.html
喜歡就贊一下






