【摘要】本發(fā)明涉及一種a軸取向的釔鋇銅氧YBCO超導(dǎo) 厚膜的氧氣氛控制制備方法，利用液相外延生長裝置，在純氧 氣氛中得到高結(jié)晶品質(zhì)的a軸取向的YBCO厚膜。按照3∶5 的鋇銅原子比例配置Ba－Cu－O粉末，經(jīng)研磨煅燒后，放在 Y2O3坩堝內(nèi)
【摘要】 本實(shí)用新型涉及一種硅片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，可上下移動(dòng)的托盤與托盤升降伺服機(jī)構(gòu)連接，硅片疊層設(shè)于托盤上，至少一對(duì)硅片高度位置探測信號(hào)發(fā)送器、硅片高度位置探測信號(hào)接收器分別設(shè)于硅片疊層兩邊的同一水平線上，使得硅片疊層最上面的硅片的起始高度低于硅片高度位置探測信號(hào)發(fā)送器、硅片高度位置探測信號(hào)接收器的高度，硅片高度位置探測信號(hào)發(fā)送器、硅片高度位置探測信號(hào)接收器分別與高度位置信號(hào)處理機(jī)構(gòu)連接，至少一對(duì)噴射氣流控制頭對(duì)稱設(shè)于最上面硅片和下面一片硅片的界面上，并高于一對(duì)硅片高度位置探測信號(hào)發(fā)送器、硅片高度位置探測信號(hào)接收器的位置，吸爪設(shè)于硅片疊層的上端。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是能提高生產(chǎn)效率，減少硅片破碎。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】上海交大泰陽綠色能源有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】200240上海市閔行區(qū)劍川路951號(hào)滄源工業(yè)園內(nèi) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200620048326.2 【申請(qǐng)日】2006-11-30 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN200979877Y 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN200979877Y 【授權(quán)公告日】2007-11-21 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號(hào)】H01L21/677; B65G49/07; H01L21/67 【發(fā)明人】郭里輝 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種硅片轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，由托盤(01)、硅片疊層(03)、噴射氣流 控制頭(04、05)、硅片高度位置探測信號(hào)發(fā)送器(08)、硅片高度位置探測 信號(hào)接收器(09)和吸爪(11)、高度位置信號(hào)處理機(jī)構(gòu)(12)和托盤升降伺 服機(jī)構(gòu)(13)組成，可上下移動(dòng)的托盤(01)與托盤升降伺服機(jī)構(gòu)(13)連 接，硅片疊層(03)設(shè)于托盤(01)上，至少一對(duì)硅片高度位置探測信號(hào)發(fā) 送器(8)、硅片高度位置探測信號(hào)接收器(9)分別設(shè)于硅片疊層(3)兩邊 的同一水平線上，使得硅片疊層(03)最上面的硅片(02)的起始高度低于 硅片高度位置探測信號(hào)發(fā)送器(08)、硅片高度位置探測信號(hào)接收器(09)的 高度，硅片高度位置探測信號(hào)接收器(09)與高度位置信號(hào)處理機(jī)構(gòu)(12) 連接，至少一對(duì)噴射氣流控制頭(04、05)對(duì)稱設(shè)于最上面硅片02和下面一 片硅片的界面上，并高于一對(duì)硅片高度位置探測信號(hào)發(fā)送器(08)、硅片高度 位置探測信號(hào)接收器(09)的位置，吸爪(11)設(shè)于硅片疊層(03)的上端。 （來自 馬克數(shù)據(jù)網(wǎng)） 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交大泰陽綠色能源有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)劍川路951號(hào)滄源工業(yè)園內(nèi) 【被引證次數(shù)】11 【被他引次數(shù)】11.0 【家族被引證次數(shù)】11
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