【摘要】本外觀設(shè)計(jì)為平面產(chǎn)品，四方連續(xù)，無(wú)限定邊界。【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】衣戀時(shí)裝(上海)有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】200241上海市閔行區(qū)龍吳路5888號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】上海市【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū)【申
【摘要】 本發(fā)明涉及一種a軸取向的釔鋇銅氧YBCO超導(dǎo) 厚膜的氧氣氛控制制備方法，利用液相外延生長(zhǎng)裝置，在純氧 氣氛中得到高結(jié)晶品質(zhì)的a軸取向的YBCO厚膜。按照3∶5 的鋇銅原子比例配置Ba－Cu－O粉末，經(jīng)研磨煅燒后，放在 Y2O3坩堝內(nèi)加熱熔化，得到Y(jié)－Ba－Cu－O熔體。將密閉熔爐 里的氣氛環(huán)境改變?yōu)?00％的純氧氣氛，并且把坩堝內(nèi)熔體溫 度調(diào)整到低于YBCO包晶熔化溫度5－20K，在取向?yàn)?110)的 單晶鎵酸釹基片上液相外延得到高質(zhì)量的a軸YBCO厚膜。本 發(fā)明僅僅通過(guò)氣氛環(huán)境中氧含量的改變，使得在原本處于大氣 環(huán)境下不適合a軸取向厚膜生長(zhǎng)的3∶5熔體環(huán)境中能在一個(gè) 較寬的溫度范圍內(nèi)得到a軸YBCO厚膜。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】上海交通大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610117890.X 【申請(qǐng)日】2006-11-02 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1970849A 【公開(kāi)公告日】2007-05-30 【公開(kāi)公告年份】2007 【發(fā)明人】姚忻; 蔡衍卿 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種a軸取向的釔鋇銅氧YBCO超導(dǎo)厚膜的氧氣氛控制制備方法，其特 征在于包括如下步驟： 1)用BaCO3+CuO的粉末進(jìn)行配料，控制Ba/Cu原子比為0.6； 2)對(duì)BaCO3+CuO粉末進(jìn)行研磨，然后在850-950℃保溫45-50小時(shí)進(jìn)行煅 燒，燒結(jié)成均勻的Ba-Cu-O粉末； 3)將Ba-Cu-O粉末加到放置在熔爐中的Y2O3坩堝內(nèi)，將熔爐加熱至YBCO 的包晶熔化溫度以上40-50K，并保溫20-30小時(shí)使Ba-Cu-O粉末均勻熔化，得 到Y(jié)-Ba-Cu-O熔體； 4)將熔爐里的氣氛環(huán)境改變?yōu)?00％的純氧氣氛，并且保持熔爐的密閉以及氣 流的穩(wěn)定性； 5)將Y-Ba-Cu-O熔體冷卻至YBCO的包晶熔化溫度以下5-20K，作為外延生 長(zhǎng)溫度； 6)用單面拋光的(110)取向的鎵酸釹單晶基片作為生長(zhǎng)襯底，采取液相外延 法生長(zhǎng)YBCO厚膜，生長(zhǎng)時(shí)間3-5分鐘，得到厚度為10-20微米a軸取向的 釔鋇銅氧YBCO超導(dǎo)厚膜。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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