【摘要】本發(fā)明提供一種提高III-V族應變多量子阱發(fā) 光強度的方法,其特征是通過離子刻蝕方法增強III-V族發(fā)光 材料的發(fā)光亮度。離子刻蝕覆蓋層采用感應耦合等離子體(ICP) 或反應離子(RIE)等刻蝕技術。刻蝕所采用的氣體為Ar離子或 A
【摘要】 本外觀設計產品的設計要點集中在主視圖、后視圖中,左視圖、右視圖、俯視圖、仰視圖無 設計要點,省略上述視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】衣戀時裝(上海)有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】200241上海市閔行區(qū)龍吳路5888號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630037232.0 【申請日】2006-06-05 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3632522D 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3632522D 【授權公告日】2007-04-18 【授權公告年份】2007.0 【發(fā)明人】張惠貞 【主權項內容】無 【當前權利人】衣戀時裝(上海)有限公司 【當前專利權人地址】上海市閔行區(qū)龍吳路5888號 【專利權人類型】外商投資企業(yè) 【統(tǒng)一社會信用代碼】9131000060729237XN
未經允許不得轉載:http://m.duba2008.cn/1775469768.html
喜歡就贊一下






