【摘要】本發(fā)明涉及一種用于相變存儲器的鍺鈦基存儲 材料及制備方法。本發(fā)明鍺鈦基存儲材料組成式為 GexTiy，式中x、y為元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。 所述的 GexTiy基存儲材料，在施加電脈沖信號的情況下，發(fā)生了高阻態(tài)
【摘要】 本發(fā)明涉及一種鈦酸鍶鋇－氧化鎂復合材料的非均相沉淀的制備方法。所述的方法使用的前驅(qū)物是鈦酸鍶鋇(BST)粉體和硝酸鎂溶液，將粉體和溶液按化學配比充分混合，然后再逐滴滴入NH3·H2O，調(diào)節(jié)溶液的pH值達到10左右，使鎂離子完全沉淀。將沉淀物經(jīng)水洗，醇洗，50－100℃條件下干燥并在400－600℃煅燒2小時，合成(1－y)Ba1－xSrxTiO3/yMgO(其中0.3≤x≤0.7，10wt％≤y≤60wt％)粉體。再外加粘結(jié)劑造粒、成型、排塑并在1350～1450℃燒結(jié)成瓷。與傳統(tǒng)的機械混合法相比，非均相沉淀法制備的復合陶瓷的晶粒尺寸減小，兩相分布均勻，顯微結(jié)構(gòu)得以優(yōu)化，并且具有較低的微波介電損耗和較高的可調(diào)性，特別適合相控陣移相器等微波器件應(yīng)用。 （macrodatas.cn） （來 自 馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng)） 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)定西路1295號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610116446.6 【申請日】2006-09-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1927765A 【公開公告日】2007-03-14 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】董顯林; 梁瑞虹 【主權(quán)項內(nèi)容】1、鈦酸鍶鋇-氧化物復合材料的非均相沉淀的制備方法，其特征在于制 備工藝步驟是： (1)以合成好的鈦酸鍶鋇粉體和硝酸鎂溶液為前驅(qū)物，按照 (1-y)Ba1-xSrxTiO3/yMgO(其中0.3≤x≤0.7，10wt％≤y≤60wt％的化學配比，配 制混合粉體，用攪拌機攪拌成混合溶液； (2)在步驟(1)制得的混合溶液中逐滴滴入氨水NH3·H2O，調(diào)節(jié)溶 液的pH值達到10，使鎂離子完全沉淀； (3)將沉淀物洗滌干燥并在400℃～600℃煅燒2小時，合成鈦酸鍶鋇- 氧化物復合粉體； (4)加5wt％～10wt％PVA粘結(jié)劑造粒、成型、排塑并在1350～1450 ℃，保溫2小時，燒結(jié)成瓷。 來自馬-克-數(shù)-據(jù)-官網(wǎng) 【當前權(quán)利人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【當前專利權(quán)人地址】上海市長寧區(qū)定西路1295號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006547H 【被引證次數(shù)】9 【被他引次數(shù)】9.0 【家族被引證次數(shù)】9
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