【摘要】請(qǐng)求保護(hù)的外觀設(shè)計(jì)包含有色彩?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】上海紅雙喜股份有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】201506上海市金山區(qū)朱行鎮(zhèn)新街路4022號(hào)A幢102-56室【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】上海市【申請(qǐng)人區(qū)縣】金
【摘要】 本發(fā)明涉及一種用于相變存儲(chǔ)器的鍺鈦基存儲(chǔ) 材料及制備方法。本發(fā)明鍺鈦基存儲(chǔ)材料組成式為 GexTiy，式中x、y為元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。 所述的 GexTiy基存儲(chǔ)材料，在施加電脈沖信號(hào)的情況下，發(fā)生了高阻態(tài) 與低阻態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)換特性，可以用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。與傳 統(tǒng)的用于相變存儲(chǔ)器的SbTe、GeSbTe和SiSbTe等相變薄膜材 料相比，鍺鈦基存儲(chǔ)材料組分更簡(jiǎn)單，不含任何有毒元素，并 且與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件制造工藝兼容性非常 好，是一種新型的、對(duì)環(huán)境友好的可用于相變存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)材 料。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200050上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】長(zhǎng)寧區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610117815.3 【申請(qǐng)日】2006-10-31 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1953229A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】宋志棠; 沈婕; 劉波; 封松林; 陳邦明 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種用于相變存儲(chǔ)器的鍺鈦基存儲(chǔ)材料，其特征在于所述鍺鈦基存 儲(chǔ)材料組成式為GexTiy，式中x、y為元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數(shù)】3 【家族被引證次數(shù)】3
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