【摘要】一種收縮流道式軸支架,它由具有機(jī)翼型切面的 兩個(gè)支臂,兩支臂的一端設(shè)于船尾處,螺旋槳前方的 船殼板上,另一端設(shè)于支承螺旋槳軸的軸轂上,兩支 臂的切面呈“八”字形設(shè)置,形成一個(gè)向船尾方向收縮 的流道,使水流在該流道中得到加速,并改變水
【摘要】 本發(fā)明公開(kāi)了一種利用側(cè)壁自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)制造MESFET的結(jié)構(gòu),在金屬柵電極與漏區(qū)相鄰一側(cè)的側(cè)壁絕緣膜厚度大于與源區(qū)相鄰一側(cè)的側(cè)壁絕緣膜厚度,這樣的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)能夠提高M(jìn)ESFET的性能。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院微電子中心 【申請(qǐng)人類型】其他 【申請(qǐng)人地址】100010北京市650信箱 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】東城區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N90104646.9 【申請(qǐng)日】1990-07-19 【申請(qǐng)年份】1990 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1014755B 【公開(kāi)公告日】1991-11-13 【公開(kāi)公告年份】1991 【授權(quán)公告號(hào)】CN1014755B 【授權(quán)公告日】1991-11-13 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號(hào)】H01L29/52; H01L29/784; H01L21/283; H01L21/02 【發(fā)明人】劉訓(xùn)春; 王潤(rùn)梅; 葉甜春; 曹振亞 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種利用金屬柵電極側(cè)壁絕緣膜進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn) 制造MESFET的結(jié)構(gòu),其特征在于,它以GaAs 作基片,其金屬柵電極與漏區(qū)相鄰一側(cè)的側(cè)壁絕緣 膜厚度大于它與源區(qū)相鄰一側(cè)的側(cè)壁絕緣膜厚度。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院微電子中心 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市650信箱 【家族被引證次數(shù)】1.0
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