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一種金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

時(shí)間:2026-03-27    作者:admin 點(diǎn)擊: ( 1 ) 次

【摘要】 本發(fā)明公開(kāi)了一種利用側(cè)壁自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)制造MESFET的結(jié)構(gòu),在金屬柵電極與漏區(qū)相鄰一側(cè)的側(cè)壁絕緣膜厚度大于與源區(qū)相鄰一側(cè)的側(cè)壁絕緣膜厚度,這樣的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)能夠提高M(jìn)ESFET的性能。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院微電子中心 【申請(qǐng)人類型】其他 【申請(qǐng)人地址】100010北京市650信箱 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】東城區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N90104646.9 【申請(qǐng)日】1990-07-19 【申請(qǐng)年份】1990 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1014755B 【公開(kāi)公告日】1991-11-13 【公開(kāi)公告年份】1991 【授權(quán)公告號(hào)】CN1014755B 【授權(quán)公告日】1991-11-13 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號(hào)】H01L29/52; H01L29/784; H01L21/283; H01L21/02 【發(fā)明人】劉訓(xùn)春; 王潤(rùn)梅; 葉甜春; 曹振亞 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種利用金屬柵電極側(cè)壁絕緣膜進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn) 制造MESFET的結(jié)構(gòu),其特征在于,它以GaAs 作基片,其金屬柵電極與漏區(qū)相鄰一側(cè)的側(cè)壁絕緣 膜厚度大于它與源區(qū)相鄰一側(cè)的側(cè)壁絕緣膜厚度。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院微電子中心 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市650信箱 【家族被引證次數(shù)】1.0

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    【摘要】一種收縮流道式軸支架,它由具有機(jī)翼型切面的 兩個(gè)支臂,兩支臂的一端設(shè)于船尾處,螺旋槳前方的 船殼板上,另一端設(shè)于支承螺旋槳軸的軸轂上,兩支 臂的切面呈“八”字形設(shè)置,形成一個(gè)向船尾方向收縮 的流道,使水流在該流道中得到加速,并改變水

    發(fā)布時(shí)間:2026-03-27

    【摘要】本實(shí)用新型是一種風(fēng)力提升、輸送粒狀、粉狀物 料系統(tǒng)的吸料裝置;該裝置由一個(gè)上端是變形管的氣 料混合通道及敞口的進(jìn)風(fēng)通道,下部是進(jìn)氣進(jìn)料孔及 進(jìn)料口,底部封閉的吸料器主體,兩個(gè)啟閉進(jìn)氣進(jìn)料 孔及進(jìn)料口的聯(lián)動(dòng)插板,限制聯(lián)動(dòng)插板徑向位移的

    發(fā)布時(shí)間:2026-03-27

    【摘要】本實(shí)用新型涉及一種自動(dòng)關(guān)閉式水閥。它有水 平的管道部分,凸起部分和回位裝置,管道部分的中 央有水流通道,凸起部分內(nèi)有浮球室和浮球,浮球室 下方的水流下游側(cè)的水流通道上有密封圈,與浮球室 相對(duì)側(cè)的管道部分下方有回位裝置。本實(shí)用新型在

    發(fā)布時(shí)間:2026-03-27

    【摘要】一種備用發(fā)電機(jī)組投入供電的控制裝置,屬于電 機(jī)控制類。在具有兩臺(tái)以上備用發(fā)電機(jī)組的自備電站內(nèi),在 第一電源突然中斷供電時(shí),所有處于應(yīng)急狀態(tài)的備用 發(fā)電機(jī)組全部自動(dòng)起動(dòng)并在起動(dòng)過(guò)程中競(jìng)選。其中, 起動(dòng)成功最快的一臺(tái)機(jī)組,成為優(yōu)勝機(jī)組。

    發(fā)布時(shí)間:2026-03-27

    【摘要】本發(fā)明提供了一種正面加工硅膜壓阻壓力傳感 器及其制造方法,該傳感器的特點(diǎn)是硅膜下的空腔是 從襯底硅體內(nèi)鏤空形成的空腔腔體,它的形成步驟 a、在襯底硅膜設(shè)計(jì)區(qū)的下方及兩側(cè)進(jìn)行重?fù)诫s,形成 連通的低阻區(qū);b、采用陽(yáng)極氧化技術(shù),使低阻區(qū)的

    發(fā)布時(shí)間:2026-03-27

    【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】單允蘭【申請(qǐng)人類型】個(gè)人【申請(qǐng)人地址】100075北京市豐臺(tái)區(qū)大紅門(mén)東門(mén)里25號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】北京市【申請(qǐng)人區(qū)縣】豐臺(tái)區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N90303629.0【申請(qǐng)日】1990-12-14【申請(qǐng)年

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