【摘要】1.拍桿為R，采用鋼絲，兩端為塑料件。 2.省略其他視圖。 A-A剖視圖百度搜索馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng)【專利類型】外觀設計【申請人】周敘平【申請人類型】個人【申請人地址】云南省昆明市拓東路119號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】昆明市【
【摘要】 本發(fā)明提供了一種正面加工硅膜壓阻壓力傳感 器及其制造方法，該傳感器的特點是硅膜下的空腔是 從襯底硅體內(nèi)鏤空形成的空腔腔體，它的形成步驟 a、在襯底硅膜設計區(qū)的下方及兩側(cè)進行重摻雜，形成 連通的低阻區(qū)；b、采用陽極氧化技術(shù)，使低阻區(qū)的硅 轉(zhuǎn)變成多孔硅；c、用腐蝕液腐蝕多孔硅；d、用淀積物 填平硅膜兩側(cè)腐蝕多孔硅后形成的腔體開口。采用 這種方法使器件成本低、性能可靠、易于集成和大批 量生產(chǎn)。。 （更多數(shù)據(jù)，詳見馬克數(shù)據(jù)網(wǎng)） 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】涂相征; 李韞言 【申請人類型】個人 【申請人地址】100009北京市東城區(qū)北河胡同14號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】東城區(qū) 【申請?zhí)枴緾N90104145.9 【申請日】1990-06-08 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1057336A 【公開公告日】1991-12-25 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1027519C 【授權(quán)公告日】1995-01-25 【授權(quán)公告年份】1995.0 【IPC分類號】G01L1/18; H01L21/02 【發(fā)明人】涂相征; 李韞言 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種硅膜壓阻壓力傳感器，該傳感器包括在硅膜上表面制作的壓阻電阻器以及在硅膜下邊的空腔，其特征在于所說的空腔是在襯底硅體內(nèi)鏤空，從硅片的正面形成的腔體。 微信公眾號馬克 數(shù)據(jù)網(wǎng) 【當前權(quán)利人】涂相征; 李韞言 【當前專利權(quán)人地址】北京市東城區(qū)北河胡同14號; 【被引證次數(shù)】9.0 【被他引次數(shù)】9.0 【家族被引證次數(shù)】9.0
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