【摘要】一種具有防腐連接端口的鋼塑復(fù)合鋼管，包括鋼塑復(fù)合鋼管主體和防腐連接端口，該防腐連接端口是由管道做防腐前預(yù)先按規(guī)律或工程預(yù)定尺寸制作成形的連接端子與其端口防腐涂層組成。防腐連接端口是溝槽式或承插式。本實用新型鋼管端口是涂敷防腐涂層的成
【摘要】 一種低溫下制備銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜的方法，屬于寬禁帶半導(dǎo)體光催化科技領(lǐng)域。本發(fā)明通過反應(yīng)磁控濺射在基材上沉積二氧化鈦膜，在沉積過程中基材所在基底不加熱且通過水冷系統(tǒng)冷卻，氬氣流量保持在30sccm，調(diào)節(jié)氬氣與氧氣的流量比在10∶1至5∶1之間，調(diào)節(jié)總氣壓在1Pa－4Pa之間，調(diào)節(jié)功率密度在1.4W/cm2－2.8W/cm2之間，在基底上加上負偏壓在20V－100V之間，然后開始直流反應(yīng)磁控濺射成膜，在沉積薄膜的過程中，腔體內(nèi)等離子體中大量氬正離子在基底偏壓的驅(qū)動下對沉積過程中的二氧化鈦薄膜進行有效轟擊，基底溫度始終低于80℃，最終實現(xiàn)在不耐熱的基材上制備具有光致活性的銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】上海交通大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610147219.X 【申請日】2006-12-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN100999816A 【公開公告日】2007-07-18 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100465332C 【授權(quán)公告日】2009-03-04 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】C23C14/35; C23C14/54; C23C14/08 【發(fā)明人】鐘曉霞; 周威; 束奇?zhèn)? 夏宇興 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種低溫下制備銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜的方法，其特征在于，步驟如 下： (1)將用于制備薄膜的基材清洗后烘干后備用； (2)將鈦靶固定在磁控陰極靶托上，并將清洗烘干后用于制備薄膜的基材 固定在磁控濺射系統(tǒng)真空室的樣品基座上，調(diào)節(jié)靶面至樣品的距離以及靶表面上 濺射區(qū)域的磁場強度； (3)烘烤磁控濺射系統(tǒng)真空室，待真空室本底真空抽至1×10-4Pa以下時， 通入氬氣，直至氣壓達到0.8Pa-4Pa之間后，對濺射系統(tǒng)中的鈦靶進行直流 輝光濺射清洗； (4)待濺射清洗完成后，通過反應(yīng)磁控濺射在基材上沉積二氧化鈦膜，在 沉積過程中基材所在基底不加熱且通過水冷系統(tǒng)冷卻，調(diào)節(jié)氬氣與氧氣的流量 比在10∶1至5∶1之間，調(diào)節(jié)總氣壓在1Pa-4Pa之間，調(diào)節(jié)功率密度在1.4 W/cm2-2.8W/cm2之間，在基底上加上負偏壓在20V-100V之間，然后開始直 流反應(yīng)磁控濺射成膜，在整個過程中，基底溫度始終低于80℃； (5)濺射后從真空室取出試樣，即在基材表面沉積了一層具有光致活性的 銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000042500615X0 【引證次數(shù)】2.0 【被引證次數(shù)】15 【他引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】15.0 【家族引證次數(shù)】7.0 【家族被引證次數(shù)】16
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.duba2008.cn/1775554858.html
喜歡就贊一下
