【摘要】本發(fā)明公開了一種微臺面結構的銦鎵砷線列探 測器,結構為:在半絕緣InP襯底上有n型InP層,在n型InP 層上置有通過刻蝕形成的由InGaAs吸收層和P型InP層構成 的線列微臺面,在微臺面上的p型電極引出區(qū)生長有一層p- InGa
【專利類型】外觀設計 【申請人】上海頂新箱包有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201500上海市金山區(qū)朱涇鎮(zhèn)亭楓公路3168號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】金山區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630038720.3 【申請日】2006-07-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3638625D 【公開公告日】2007-05-02 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3638625D 【授權公告日】2007-05-02 【授權公告年份】2007.0 【發(fā)明人】王向軍 【主權項內(nèi)容】無 【當前權利人】上海頂新箱包有限公司 【當前專利權人地址】上海市金山區(qū)亭楓公路3168號 【專利權人類型】有限責任公司(臺港澳與境內(nèi)合資) 【統(tǒng)一社會信用代碼】913100006073695416
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