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【摘要】本發(fā)明涉及一種在半導體器件的光刻過程中縮小用于形成接觸孔的光刻膠圖案的臨界尺寸，從而允許得到臨界尺寸在90nm以下的接觸孔圖案的方法。所述方法包括a)在襯底上涂覆光刻膠，形成光刻膠層；b)利用具有預定圖案的掩模對光刻膠層進行曝光；c

【摘要】1.該產(chǎn)品為平面產(chǎn)品。 2.后視圖無設(shè)計要點，省略后視圖。 3.請求保護的外觀設(shè)計包含色彩。。來自馬-克-數(shù)-據(jù)【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】社團法人浦東新區(qū)工程師協(xié)會; 吳佳音【申請人類型】個人,機關(guān)團體【申請人地址】201203

【摘要】1.該產(chǎn)品為平面產(chǎn)品。 2.后視圖無設(shè)計要點，故省略。 3.請求保護的外觀設(shè)計包含有色彩。【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】社團法人浦東新區(qū)工程師協(xié)會; 黃朝偉【申請人類型】個人,機關(guān)團體【申請人地址】201203上海市張江高科技園區(qū)郭

【摘要】本發(fā)明提供一種制取高純度L－乳酸的方法，包括a)將經(jīng)過萃取、結(jié)晶、脫色、離子交換或膜分離中的一種或多種方法預處理的L－乳酸送入濃縮器在0.5～0.95Mpa，50～90℃下進行進行濃縮；b)將來自濃縮器的L－乳酸送入到至少2級串聯(lián)組

【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】莊文瀾【申請人類型】個人【申請人地址】200080上海市虹口區(qū)飛虹支路69號306室【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】虹口區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630064987.X【申請日】2006-07-

【摘要】本實用新型公開了一種危險廢物處理系統(tǒng)。本實用新型所述的危險廢物固化穩(wěn)定化預處理系統(tǒng)包括一套或多套廢物存貯計量輸送機、一套或多套粉體物料存貯計量輸送裝置、一套或多套藥劑存貯計量輸送裝置、一套或多套水路存貯計量輸送裝置、一臺攪拌機和自動