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縮小光刻膠接觸孔圖案的臨界尺寸的方法

時(shí)間:2026-04-05    作者:admin 點(diǎn)擊: ( 1 ) 次

【摘要】 本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體器件的光刻過程中縮小用于形成接觸孔的光刻膠圖案的臨界尺寸,從而允許得到臨界尺寸在90nm以下的接觸孔圖案的方法。所述方法包括a)在襯底上涂覆光刻膠,形成光刻膠層;b)利用具有預(yù)定圖案的掩模對光刻膠層進(jìn)行曝光;c)在曝光后的光刻膠層上涂布光酸抑制劑;d)對涂布有光酸抑制劑的光刻膠層進(jìn)行曝光后烘烤;和e)利用顯影劑對經(jīng)上述處理的光刻膠層進(jìn)行顯影,得到臨界尺寸縮小的接觸孔圖案。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】浦東新區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610024870.8 【申請日】2006-03-20 【申請年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101042536A 【公開公告日】2007-09-26 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100498544C 【授權(quán)公告日】2009-06-10 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】G03F7/20; G03F7/38; G03F1/00; H01L21/027; G03F1/38 【發(fā)明人】崔彰日 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種縮小光刻膠接觸孔圖案的臨界尺寸的方法,該方法包括以下步驟: a)在襯底上涂覆光刻膠,形成光刻膠層; b)利用具有預(yù)定圖案的掩模對光刻膠層進(jìn)行曝光; c)在曝光后的光刻膠層上涂布光酸抑制劑; d)對涂布有光酸抑制劑的光刻膠層進(jìn)行曝光后烘烤;和 e)利用顯影劑對經(jīng)上述處理的光刻膠層進(jìn)行顯影,得到臨界尺寸縮小的接觸孔 圖案。 【當(dāng)前權(quán)利人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司; 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào); 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號(hào) 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(外國法人獨(dú)資) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】91310115710939629R 【引證次數(shù)】4.0 【被引證次數(shù)】10 【他引次數(shù)】4.0 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】8.0 【家族引證次數(shù)】8.0 【家族被引證次數(shù)】12

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