【摘要】本發(fā)明是一種提純菱鎂礦礦石的反浮選方法，菱鎂礦礦石中的脈石礦物為白云石、方解石和硅酸鹽類礦物。其特征在于用胺類化合物作捕收劑，無機磷酸鹽作調(diào)整劑，在適當?shù)慕橘|(zhì)pH范圍內(nèi)，上述礦物均可作為泡沫產(chǎn)品浮出。這樣對菱鎂礦礦石只進行一次反浮選
【摘要】 高介電常數(shù)低介電損耗膜，屬于電氣行業(yè)中制作 電容器和絕緣材料的高分子聚合物共混薄膜材料。 該高分子共混材料由聚丙烯和丁腈橡膠(腈含量 26-35％)在混煉機中充分混合而制得。將制得的共 混物破碎后模壓或擠出壓延以及雙向拉伸制得各種 符合規(guī)格的薄膜，經(jīng)測試該薄膜的介電常數(shù)高達 4.21，介電損耗低于3×10-3，且具有良好的加工性 能。用本發(fā)明的薄膜制成的電容器，其體積減小 54％。 搜索馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】同濟大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】200092上海市四平路1239號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】寶山區(qū) 【申請?zhí)枴緾N90102967.X 【申請日】1990-10-22 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1050462A 【公開公告日】1991-04-03 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1016911B 【授權(quán)公告日】1992-06-03 【授權(quán)公告年份】1992.0 【IPC分類號】H01B3/30; H01B3/28; H01G4/20; H01B3/18; H01G4/018 【發(fā)明人】毛立鈞; 陳家華 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種涉及高介電常數(shù)低介電損耗膜，其特征是：先將重量百分比為65-75%的聚丙烯去除雜質(zhì)，除濕后加入混煉機中混煉10-15分鐘，然后把重量百分比為25-35%丁腈橡膠去除雜質(zhì)，除濕，破膠后加入到混煉機中，充分混合8-10分鐘，混煉溫度為185-190℃，制得共混物，最后將該共混物破碎后，在190℃溫度下進行模壓或擠出壓延，以及雙向拉伸制得各種規(guī)格厚度的高介電常數(shù)低介電損耗膜。 【當前權(quán)利人】同濟大學(xué) 【當前專利權(quán)人地址】上海市四平路1239號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006125J 【引證次數(shù)】3.0 【被引證次數(shù)】5.0 【他引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】5.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】5.0
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