【摘要】本發(fā)明是涉及朱砂、珍珠之類硬度很高的珍貴中藥材的一種研磨工藝。它主要是先進行預破碎處理使原料成為細小顆粒；然后采用超微粒膠體磨先加水后投料研磨，綜合運用粉碎機、膠體磨、滲濾機及烘干設備。本工藝使產品質量提高，處理均勻，細度達2～50
【摘要】 本發(fā)明是一種以MCVD工藝制造高帶寬漸變型多模光纖的方法。采用一次近似法實現(xiàn)光纖予制棒折射率的精確控制，燒縮時補芯與腐蝕相結合獲得了極窄的中心折射率凹陷。解決了常規(guī)的0次近似法和經驗修正法中折射率分布指數(shù)α的分散性及重復性差的問題。所制造的多模光纖折射率控制精度達5×10-5，1.3μm處平均帶寬＞1700MHz·Km，最高達5GHz·Km，傳輸損耗0.5～1.0dB/Km，可用于三、四次群光纖通信領域。 【專利類型】發(fā)明授權 【申請人】杭州無線電材料廠 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】浙江省杭州市太平門直街88號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】杭州市 【申請人區(qū)縣】上城區(qū) 【申請?zhí)枴緾N88100850.8 【申請日】1988-02-10 【申請年份】1988 【公開公告號】CN1012363B 【公開公告日】1991-04-17 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1012363B 【授權公告日】1991-04-17 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】C03B37/018; C03B37/07; C03B37/00 【發(fā)明人】梁建明; 王旭華 【主權項內容】1.一種高帶寬漸變型多模光纖的制造方法，采 用MCVD工藝制備光纖予制棒，該工藝包括在石 英包皮管內沉積組分為F-P2O9-SiO2三元系的包 層，沉積組分為GeO2-P2O3-SiO2三元系的芯層 時只改變主摻雜劑GeCl4的流量，將沉積好的石 英管燒縮成實芯棒，然后將所得予制棒拉成光纖， 其特征是采用一次近似法控制GeCl4的載氣流量F1 相對于噴燈移動次數(shù)i的變化，一次近似的計算公 式如下： 式中Fi為第i層的GeCl4載氣流量 (ml/min)， i為沉積芯層時噴燈移動的次數(shù)， N為芯層總沉積次數(shù)， Fo為i＝N時的GeCl4載氣流量 (ml/min)， α為折射率分布指數(shù)， β為原料組分決定的GeCl4含量。 【當前權利人】杭州無線電材料廠 【當前專利權人地址】浙江省杭州市太平門直街88號 【家族被引證次數(shù)】4.0
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