【摘要】本發(fā)明提出了一種由超導(dǎo)厚膜組成的超導(dǎo)器件及其制造方法，所說(shuō)的超導(dǎo)膜由厚度為5～30微米的稀土-鋇-銅-氧系的氧化物系超導(dǎo)材料組成。本發(fā)明提出的超導(dǎo)器件的制造方法包括在基板上制膜、制微橋、燒制、按導(dǎo)通的電流電極和電壓電極工序組成，還可
【摘要】 SiHCl3(三氯氫硅)是制備高純多晶硅的主要原料。以往SiHCl3的合成是采用HCl氣體通入到加熱的硅粉中來(lái)制備，用固定床反應(yīng)時(shí)SiHCl3的產(chǎn)率只有60-70％。用沸騰床反應(yīng)時(shí)可使SiHCl3的產(chǎn)率提高到80-90％，其余主要為SiCl4副產(chǎn)物。由于用SiCl4氫還原制備高純多晶硅時(shí)耗能較多，一般硅材料廠將SiCl4作為廢物排出，這除了使硅粉和HCl氣體的利用率低外，還嚴(yán)重地污染環(huán)境。本發(fā)明就是利用反應(yīng)時(shí)排出的廢物SiCl4作為原料，再與HCl一起通入到加熱的硅粉中，通過(guò)調(diào)節(jié)SiCl4通入量的大小，來(lái)控制SiHCl3的收率，直至達(dá)到100％。本發(fā)明提出的方法簡(jiǎn)單易行，凡生產(chǎn)硅材料的工廠或其它有SiCl4副產(chǎn)物排出的工廠均可利用。 來(lái)自馬-克-數(shù)-據(jù)-官網(wǎng) 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明授權(quán) 【申請(qǐng)人】張崇玖 【申請(qǐng)人類(lèi)型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】江蘇省南通市易家橋新村20號(hào)樓305號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】南通市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】崇川區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N87100535.2 【申請(qǐng)日】1987-01-24 【申請(qǐng)年份】1987 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1011878B 【公開(kāi)公告日】1991-03-06 【公開(kāi)公告年份】1991 【授權(quán)公告號(hào)】CN1011878B 【授權(quán)公告日】1991-03-06 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】C01B33/107; C01B33/08 【發(fā)明人】張崇玖 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.三氯氫硅(SiHCl3的合成方法，采用HCl氣 體通入到加熱的硅粉中來(lái)制備，本發(fā)明的特征是： 在通入HCl到加熱硅粉的同時(shí)，增加通入SiCl4， 由調(diào)節(jié)SiCl4的通入量來(lái)控制SiHCl3的收率。 來(lái)自：馬 克 團(tuán) 隊(duì) 【當(dāng)前權(quán)利人】張崇玖 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】江蘇省南通市易家橋新村20號(hào)樓305號(hào) 【被引證次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】7.0
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