【摘要】一種無指數(shù)運算的可證明安全性的快速數(shù)字簽名技術(shù)，其安全機理與傳統(tǒng)的基于因數(shù)分解問題(IFP)的數(shù)字簽名技術(shù)相同，投入實際應(yīng)用的成熟度高，且同時具有傳統(tǒng)IFP技術(shù)無可比擬的高效率，若假定n的長度為1024比特，則其速度比RSA高出三百
【摘要】 本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管器件陣列基板結(jié)構(gòu)，包括：透明絕緣襯底；一組連續(xù)的數(shù)據(jù)線；一組斷續(xù)的柵線，在和數(shù)據(jù)線交匯處斷開；斷續(xù)的柵線兩端有暴露柵金屬的過孔，連接?xùn)啪€的導(dǎo)電薄膜通過過孔將斷續(xù)的柵線連接起來；數(shù)據(jù)線上覆蓋有鈍化保護(hù)膜，并在靠近TFT器件處形成暴露金屬薄膜的過孔；源電極、漏電極上方形成暴露源漏金屬薄膜的過孔，源電極通過源電極上方的過孔、連接數(shù)據(jù)線和源電極的導(dǎo)電薄膜、及數(shù)據(jù)線上的過孔與數(shù)據(jù)線相連接；漏電極通過其上方的過孔與像素電極相連接。本發(fā)明同時公開了該陣列基板結(jié)構(gòu)的制造方法。此方法減少掩膜版和光刻工藝次數(shù)，簡化TFT－LCD制造工藝到2－Mask流程。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京京東方光電科技有限公司; 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】100176北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)西環(huán)中路8號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】大興區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610082972.5 【申請日】2006-06-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101093845A 【公開公告日】2007-12-26 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100426511C 【授權(quán)公告日】2008-10-15 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L27/12; H01L23/52; H01L21/84; H01L21/768; G02F1/133; G02F1/13; H01L21/70 【發(fā)明人】龍春平; 趙繼剛; 林承武 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種薄膜晶體管器件陣列基板結(jié)構(gòu)，包括： 透明絕緣襯底； 一組連續(xù)的數(shù)據(jù)線，由與TFT源漏電極相同的金屬薄膜構(gòu)成； 一組斷續(xù)的柵線，在和數(shù)據(jù)線交匯處斷開； 柵線上部覆蓋有柵極絕緣薄膜、本征半導(dǎo)體薄膜和鈍化保護(hù)膜； 斷續(xù)的柵線兩端有暴露柵金屬的過孔，連接?xùn)啪€的導(dǎo)電薄膜通過過孔將 斷續(xù)的柵線連接起來； 數(shù)據(jù)線下方保留有柵金屬薄膜、柵極絕緣薄膜、本征半導(dǎo)體薄膜和摻雜 半導(dǎo)體薄膜，數(shù)據(jù)線上覆蓋有鈍化保護(hù)膜，并在靠近TFT器件處形成暴露金 屬薄膜的過孔； 薄膜晶體管形成于靠近數(shù)據(jù)線的柵電極上，其源電極和漏電極由源漏金 屬薄膜組成，源電極和漏電極的圖案完全處于柵電極、本征半導(dǎo)體薄膜和摻 雜半導(dǎo)體薄膜圖案之內(nèi)；源電極、漏電極和溝道上部都覆蓋有鈍化保護(hù)膜， 源電極、漏電極上方形成暴露源漏金屬薄膜的過孔，源電極通過源電極上方 的過孔、連接數(shù)據(jù)線和源電極的導(dǎo)電薄膜、及數(shù)據(jù)線上的過孔與數(shù)據(jù)線相連 接；漏電極通過其上方的過孔與像素電極相連接。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京京東方光電科技有限公司; 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)西環(huán)中路8號; 北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(臺港澳與境內(nèi)合資); 其他股份有限公司(上市) 【統(tǒng)一社會信用代碼】911103027493533932; 911100001011016602 【被引證次數(shù)】10 【被自引次數(shù)】7.0 【被他引次數(shù)】3.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】12
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.duba2008.cn/1775926294.html
喜歡就贊一下
