【摘要】本發(fā)明涉及一種復(fù)方梔地總提取物及其制備方法和用途，本發(fā)明使用溶劑提取法、溶劑萃取法、樹脂吸附法等工藝中的一種或者多種工藝方法制備得到復(fù)方梔地總提取物，并將該總提取物制成口服給藥的內(nèi)用劑型及非口服給藥的注射劑和外用劑型，本發(fā)明的總提取
【摘要】 本發(fā)明公開一種薄膜晶體管器件陣列基板結(jié)構(gòu)，包括：透明絕緣襯底；一組連續(xù)的柵線；一組斷續(xù)的數(shù)據(jù)線，在與柵線交匯處斷開；斷續(xù)的數(shù)據(jù)線的兩端有暴露源漏金屬薄膜的過孔，連接數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電薄膜通過過孔將斷續(xù)的數(shù)據(jù)線連接起來；薄膜晶體管完全形成在靠近數(shù)據(jù)線的柵線上方，其漏電極通過其上方的過孔直接與像素電極相連，源電極的過孔正好位于連接數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電薄膜的下方，連接數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電薄膜通過源電極過孔同時實現(xiàn)源電極和數(shù)據(jù)線的連接。本發(fā)明同時公開了用2次光刻工藝制造該陣列基板的方法。此方法減少掩膜版和光刻工藝次數(shù)，簡化TFT－LCD制造工藝到2－Mask流程。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京京東方光電科技有限公司; 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】100176北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)西環(huán)中路8號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】大興區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610082971.0 【申請日】2006-06-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101093844A 【公開公告日】2007-12-26 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100433338C 【授權(quán)公告日】2008-11-12 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L27/12; H01L23/52; H01L21/84; H01L21/768; G02F1/133; G02F1/13; H01L21/70 【發(fā)明人】龍春平 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種薄膜晶體管器件陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 透明絕緣襯底； 一組連續(xù)的柵線；柵線上部覆蓋有柵極絕緣薄膜、本征半導(dǎo)體薄膜和鈍 化保護(hù)膜； 一組斷續(xù)的數(shù)據(jù)線，由與TFT源漏電極相同的金屬薄膜構(gòu)成，在與柵線 交匯處斷開； 數(shù)據(jù)線下方保留有柵金屬薄膜、柵極絕緣薄膜、本征半導(dǎo)體薄膜和摻雜 半導(dǎo)體薄膜，數(shù)據(jù)線上方覆蓋有鈍化保護(hù)膜； 斷續(xù)的數(shù)據(jù)線的兩端有暴露源漏金屬薄膜的過孔，連接數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電薄 膜通過過孔將斷續(xù)的數(shù)據(jù)線連接起來； 薄膜晶體管完全形成在靠近數(shù)據(jù)線的柵線上方，其歐姆接觸層形成在柵 線上的本征半導(dǎo)體薄膜上方，源漏電極完全形成在歐姆接觸層的上方，且源 漏電極上方覆蓋有鈍化保護(hù)膜并在鈍化保護(hù)膜上形成有相應(yīng)的過孔；其中漏 電極通過其上方的過孔直接與像素電極相連；源電極的過孔正好位于連接數(shù) 據(jù)線的導(dǎo)電薄膜的下方，連接數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電薄膜通過源電極過孔同時實現(xiàn)源 電極和數(shù)據(jù)線的連接。 微信 【當(dāng)前權(quán)利人】北京京東方光電科技有限公司; 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)西環(huán)中路8號; 北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(臺港澳與境內(nèi)合資); 其他股份有限公司(上市) 【統(tǒng)一社會信用代碼】911103027493533932; 911100001011016602 【被引證次數(shù)】21 【被自引次數(shù)】11.0 【被他引次數(shù)】10.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】21
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