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【摘要】本實用新型涉及芯片的防偽技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種能有效防止假冒的芯片結(jié)構(gòu)。它由芯片體和啟用鑰匙組成，該芯片體具有一槽口，芯片體內(nèi)的槽口對面具有一穿孔，該穿孔內(nèi)具有一控制芯片啟用的微動開關(guān)；該鑰匙具有可插入槽口的外形且鑰匙頂端具有與穿孔相

【摘要】平面產(chǎn)品，省略其他視圖?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計【申請人】上海斯米克建筑陶瓷股份有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201112上海市閔行區(qū)杜行鎮(zhèn)談家巷鎮(zhèn)南(三魯路2121號)【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】閔行

【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】上海臺項工藝制品有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201101上海市閔行區(qū)星風路518號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】閔行區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630035947.2【申請日】200

【摘要】本實用新型是涉及卡箍連接直流太陽能熱水器電磁閥，包括直流電動機卡箍連接導(dǎo)管、電瓶接線口、控制開關(guān)、市電接線口、穩(wěn)壓裝置，在于直流電動機與電動機法蘭機械連接，直流電動機法蘭與電磁閥上法蘭機械連接，電磁閥上法蘭與電磁閥與卡箍連接導(dǎo)管是整

【摘要】一種AlNSiO2納 米多層硬質(zhì)薄膜，屬于陶瓷薄膜領(lǐng)域。本發(fā)明由AlN層和 SiO2層交替沉積在金屬或陶瓷 基底上形成，AlN層的厚度為3～6nm， SiO2層厚為0.4～1.2nm。本發(fā)明 AlNSiO2納米多層硬質(zhì)薄膜具 有Si

【摘要】本實用新型公開的低露點螺桿空壓機一體機，包括儲氣罐和安裝在儲氣罐頂部的螺桿空壓機，其特征在于，還包括安裝在罐底部的自動排水裝置和安裝在儲氣罐頂部的風冷卻器、除油過濾器、低露點干燥機；所述螺桿式空壓機通過管道及壓力維持閥與風冷卻器的進