【摘要】本實用新型公開了一種用于電源管理芯片的降 頻電路，包括：阻容單元、控制單元和單向開關(guān)電路，阻容單 元包括兩個串聯(lián)的分壓電阻(R1)、(R2)和儲能電容(C)，控制單 元，由滯回比較器(A)構(gòu)成，單向開關(guān)電路包括一泄流電阻(R3) 和
【摘要】 本發(fā)明公開了一種優(yōu)質(zhì)高產(chǎn)合成人造金剛石細—微細粒金剛石的生產(chǎn)工藝，用粉末觸媒和石墨粉壓制成型后在超高壓高溫合成生產(chǎn)金剛石，所述的合成工藝為：合成壓力：實際合成壓力比原普通合成壓力下降2－10％，同時要求溫度匹配調(diào)整；暫停壓力：為合成壓力的80－92％，兩次暫停壓力相差0.10－0.15MPa；暫停時間：120－180s；合成時間(保壓時間)：5－20s。合成人造金剛石粒度組成有170/200、200/230、230/270、270/325為主峰值，同時還包括了325/400及400/500等不同微細粒度的原生優(yōu)質(zhì)金剛石的工藝。本發(fā)明采用了合成金剛石粉末觸媒和制棒工藝。并設(shè)計了一組按照相對低溫低壓下的高溫超高壓合成和采用了研究者對暫停壓力 的特殊選擇。由此而建立的新工藝，這樣使產(chǎn)品反而實現(xiàn)了優(yōu)質(zhì)高產(chǎn)的良好效果。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】方嘯虎; 彭國強 【申請人類型】個人 【申請人地址】201100上海市滬閔路6209號銀霄大廈B804室 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610031569.X 【申請日】2006-04-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101062471A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】B01J3/06 【發(fā)明人】方嘯虎; 彭國強 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種優(yōu)質(zhì)高產(chǎn)合成人造金剛石細—微細粒金剛石的生產(chǎn)工藝， 用粉末觸媒和石墨粉壓制成型后在超高壓高溫合成生產(chǎn)金剛石，其特 征是：所述的合成工藝為： 合成壓力：實際合成壓力比原普通合成壓力下降2-10％，同時要 求溫度匹配調(diào)整； 暫停壓力：為合成壓力的80-92％，兩次暫停壓力相差0.10-0.15 MPa； 暫停時間：120-180S； 合成時間(保壓時間)：5-20S。 關(guān)注公眾號馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】方嘯虎; 彭國強 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市滬閔路6209號銀霄大廈B804室; 【被引證次數(shù)】3 【被他引次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】3
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