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時間:2026-04-07    作者:admin 點擊: ( 2 ) 次

【專利類型】外觀設(shè)計 【申請人】上海臺項工藝制品有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201101上海市閔行區(qū)星風路518號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630040678.9 【申請日】2006-09-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300684620D 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN300684620D 【授權(quán)公告日】2007-08-29 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】林汝聰 【主權(quán)項內(nèi)容】無 【當前權(quán)利人】上海臺項工藝制品有限公司 【當前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)星風路518號 【專利權(quán)人類型】有限責任公司(自然人投資或控股)

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    【摘要】本外觀設(shè)計產(chǎn)品的設(shè)計要點在于主視圖、后視圖,其他視圖無 設(shè)計要點,省略其他視圖。【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】衣戀時裝(上海)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】200241上海市閔行區(qū)龍吳路5888號【申請人地區(qū)】中國【申請人

    發(fā)布時間:2026-04-06

    【摘要】本發(fā)明涉及的是一種半導體材料技術(shù)領(lǐng)域的量子邏輯器件的隧穿二極管制備方法。包括如下步驟:①用氣相外延方法生長單晶硅薄膜和用等離子增強化學氣相沉積方法生長硅量子點薄膜;②利用半導體量子輸運方法對硅量子點共振隧穿二極管器件的隧穿電流特性進

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    【摘要】平面產(chǎn)品,省略其他視圖。【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】上海旅聯(lián)信息服務(wù)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】200011上海市閔行區(qū)外馬路970號7樓【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】閔行區(qū)【申請?zhí)枴緾N2006

    發(fā)布時間:2026-04-06

    【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】上海臺項工藝制品有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201101上海市閔行區(qū)星風路518號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】閔行區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630035909.7【申請日】200

    發(fā)布時間:2026-04-06

    【摘要】本發(fā)明涉及的是一種廢水處理技術(shù)領(lǐng)域的反滲 透濃縮液中阻垢劑的內(nèi)電解破壞方法。利用鐵-碳顆粒之間存 在的電位差而形成的無數(shù)個細微原電池作用,對反滲透濃縮液 進行處理,這些細微電池以電位低的鐵成為陰極,電位高的碳 做陽極,在反滲透濃縮液

    發(fā)布時間:2026-04-07
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