【摘要】1.請求保護(hù)的外觀設(shè)計包含有色彩。 2.本外觀設(shè)計產(chǎn)品為平面產(chǎn)品，省略其他視圖?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計【申請人】上海聯(lián)樂實(shí)業(yè)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201112上海市閔行區(qū)聯(lián)星路281號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】
【摘要】 本發(fā)明涉及的是一種半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域的量子邏輯器件的隧穿二極管制備方法。包括如下步驟：①用氣相外延方法生長單晶硅薄膜和用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法生長硅量子點(diǎn)薄膜；②利用半導(dǎo)體量子輸運(yùn)方法對硅量子點(diǎn)共振隧穿二極管器件的隧穿電流特性進(jìn)行模擬，進(jìn)一步調(diào)節(jié)該二極管的隧穿電流折疊特性；③用氣相外延裝置先在重?fù)诫sp型單晶硅襯底上生長p型單型硅薄膜，接著在其上生長n型硅量子點(diǎn)薄膜，得到硅量子點(diǎn)共振隧穿二極管器件。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)從單穩(wěn)態(tài)到雙穩(wěn)態(tài)的轉(zhuǎn)變，并提高雙穩(wěn)態(tài)雙峰間距，降低閾值電壓，提高了邏輯器件的噪聲容限，能夠提高電路的穩(wěn)定工作能力。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】上海交通大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610147220.2 【申請日】2006-12-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101000874A 【公開公告日】2007-07-18 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100449713C 【授權(quán)公告日】2009-01-07 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/329; H01L21/02 【發(fā)明人】沈文忠; 潘葳 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種量子邏輯器件的隧穿二極管制備方法，其特征在于，包括如下步驟： ①確定硅量子點(diǎn)共振隧穿二極管為單晶硅/硅量子點(diǎn)pn型的反型異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)， 用氣相外延方法生長單晶硅薄膜和用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法生長硅量子點(diǎn)薄 膜； ②利用半導(dǎo)體量子輸運(yùn)方法對硅量子點(diǎn)共振隧穿二極管器件的隧穿電流特性進(jìn) 行模擬，在氣相外延和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長過程中分別摻入乙硼和磷烷， 通過改變乙硼和磷烷摻雜比例來控制硅量子點(diǎn)共振隧穿二極管兩側(cè)摻雜濃度，通過 控制摻雜濃度下的共振隧穿電流特性，進(jìn)一步調(diào)節(jié)該二極管的隧穿電流折疊特性； ③用氣相外延裝置先在重?fù)诫sp型單晶硅襯底上生長p型單型硅薄膜，接著在 其上生長n型硅量子點(diǎn)薄膜，得到硅量子點(diǎn)共振隧穿二極管器件。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】4
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