【摘要】一種VNSiO2納米 多層涂層及其制備方法，屬于陶瓷涂層領(lǐng)域。 VNSiO2高硬度納米多層涂層由 VN層和SiO2層交替沉積在金 屬、硬質(zhì)合金或陶瓷基底上形成，VN層的厚度為2～10nm， SiO2層厚為0.3～1.2nm。本發(fā)明
【摘要】 一種防止元件破壞的保護(hù)裝置，包括一電阻板；第一電極層，其一端面連接電阻板表面；及第二電極層，其一端面連接電阻板表面，并與第一電極層具有一預(yù)定距離。其中，利用第一電極層及第二電極層分別電氣連接于電阻板表面，并將第一電極層及第二電極層連接一電路板的正、負(fù)極上，使透過電阻板降低通過電路板的電流量，避免過電流造成電路板上其他元件的損壞。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】英華達(dá)(上海)科技有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】201114上海市閔行區(qū)浦星路789號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200620046077.3 【申請(qǐng)日】2006-09-20 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN200953260Y 【公開公告日】2007-09-26 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN200953260Y 【授權(quán)公告日】2007-09-26 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號(hào)】H01C7/13; H05K1/18 【發(fā)明人】傅甄 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種防止元件破壞的保護(hù)裝置，包括： 一電阻板； 第一電極層，其一端面連接該電阻板表面； 第二電極層，其一端面連接該電阻板表面，并與該第一電極層具有一預(yù)定距離； 及 一電氣元件，設(shè)置于該電阻板表面，分別與該第一電極層及該第二電極層具有 一預(yù)定距離； 其中，利用該第一電極層及該第二電極層分別電氣連接于該電阻板表面，并將 該第一電極層及該第二電極層連接一電路板的正、負(fù)極上，使透過該電阻板降低通 過該電路板的電流量，避免過電流造成該電路板上其他元件的損壞。 【當(dāng)前權(quán)利人】英華達(dá)(上海)科技有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)浦星路789號(hào) 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(外國(guó)法人獨(dú)資) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】91310000758420965R
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