【摘要】1.請求保護的外觀設計包含色彩。 2.本外觀設計產(chǎn)品為紡織物，系平面產(chǎn)品，省略其他視圖?！緦＠愋汀客庥^設計【申請人】上海久楓服飾有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201103上海市閔行區(qū)吳中路1345號【申請人地區(qū)】中國【申
【摘要】 一種半導體光電探測技術領域的半導體無像元 遠紅外上轉換成像裝置制造方法。步驟如下：(1)確定探測器類 型為探測中心波長在60微米的同質(zhì)結內(nèi)光發(fā)射遠紅外探測器， 發(fā)光二極管類型為發(fā)射光波長在硅電荷耦合器件響應波長范 圍內(nèi)的近紅外發(fā)光二極管；(2)利用頻譜分析方法分別對探測器 及發(fā)光二極管列出連續(xù)性方程，通過求解連續(xù)性方程得到上轉 換成像效率及調(diào)制傳遞函數(shù)，通過考察上轉換成像效率及成像 性能，得到優(yōu)化的器件結構；(3)用分子束外延裝置先生長遠紅 外探測器結構，接著在探測器上生長近紅外發(fā)光二極管結構， 得到半導體遠紅外無像元上轉換成像裝置。本發(fā)明大大降低了 探測成像的成本，可實現(xiàn)更長波長光的上轉換成像。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610117889.7 【申請日】2006-11-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1945859A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100456503C 【授權公告日】2009-01-28 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L31/18 【發(fā)明人】沈文忠; 武樂可 【主權項內(nèi)容】1、一種半導體無像元遠紅外上轉換成像裝置制造方法，其特征在于步驟如 下： (1)確定需要生長的探測器和發(fā)光二極管的類型：探測器類型為探測中心 波長在60微米的同質(zhì)結內(nèi)光發(fā)射遠紅外探測器，發(fā)光二極管類型為發(fā)射光波長 在硅電荷耦合器件響應波長范圍內(nèi)的近紅外發(fā)光二極管； (2)利用頻譜分析方法分別對探測器及發(fā)光二極管列出連續(xù)性方程，通過求 解連續(xù)性方程得到上轉換成像效率及調(diào)制傳遞函數(shù)，通過考察上轉換成像效率 及成像性能，得到優(yōu)化的器件結構； (3)用分子束外延裝置先生長遠紅外探測器結構，接著在探測器上生長近紅 外發(fā)光二極管結構，得到集成的半導體遠紅外無像元上轉換成像裝置。 【當前權利人】上海交通大學 【當前專利權人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】2 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】2
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