【摘要】一種整體式通訊電纜，由外包層和四對(duì)雙絞線構(gòu) 成，外包層的內(nèi)側(cè)沿外包層的軸向設(shè)置有一個(gè)隔離支架，隔離 支架由相互垂直交叉的兩個(gè)隔離片構(gòu)成，兩個(gè)隔離片的相交軸 線與外包層的中心軸線重合，在垂直于外包層軸向的橫斷面 中，任意一個(gè)隔離片的兩
【摘要】 本發(fā)明涉及一種高熱導(dǎo)Si3N4陶瓷的制備方法，其特征在于采用SPS低溫快速燒結(jié)技術(shù)，以氮化物作為燒結(jié)助劑制備高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷的方法，屬于非氧化物陶瓷制備領(lǐng)域。本發(fā)明中高熱導(dǎo)Si3N4陶瓷是由α-Si3N4粉體和燒結(jié)助劑按100∶10～2的比例混合，采用SPS低溫快速燒結(jié)技術(shù)制備的。在制備過程中，將原料裝入石墨模具中，在10～100MPa、1500℃～1700℃、保溫時(shí)間3～30分鐘條件下SPS快速燒結(jié)。本發(fā)明制備的氮化硅陶瓷具備高的熱導(dǎo)率的同時(shí)仍可保持高的強(qiáng)度，其中熱導(dǎo)率可達(dá)120Wm-1K-1、三點(diǎn)抗折強(qiáng)度σb達(dá)750MPa以上。。百度搜索馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200050上海市定西路1295號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】長(zhǎng)寧區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610024154.X 【申請(qǐng)日】2006-02-24 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN100355701C 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100355701C 【授權(quán)公告日】2007-12-19 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號(hào)】C04B35/584; C04B35/622 【發(fā)明人】彭桂花; 江國(guó)健; 李文蘭; 張寶林; 莊漢銳; 徐素英 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷制備方法，其特征在于 (a)以α-Si3N4粉體和作為燒結(jié)助劑的氮化物粉體為起始原料，兩 者重量比為100∶10～2；所述的氮化物為MgSiN2、Mg3N2和 BeSiN2中任意一種，或它們的混合物； (b)將步驟(a)的含有燒結(jié)助劑的粉料均勻混合后，裝入石墨模 具中，在10～100MPa、1500～1700℃的條件下放電等離子 燒結(jié)； (c)燒結(jié)結(jié)束后隨爐冷卻至室溫。 來源：馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市定西路1295號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425006547H 【引證次數(shù)】3.0 【被引證次數(shù)】2 【自引次數(shù)】1.0 【他引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】18
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