【摘要】本實(shí)用新型涉及一種剩余電流斷路器，該剩余電流斷路器包括漏電互感器(RCT)，電阻，集成電路(IC)，三極管(T)，延時(shí)電容(C8、C80)，可控硅(SCR)，脫扣器(TRIP)，小開(kāi)關(guān)(K2)，二極管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有
【摘要】 本發(fā)明涉及一種稀土摻雜硫系鹵化物玻璃材料，即三價(jià)稀土離子摻雜Ge－Ga－Se－MX(M＝K，Rb，Cs；X＝Cl，Br，I)硫系鹵化物玻璃。其特征在于玻璃的組成為：(100－x－y－z)Ge－xGa－ySe－zMX，其中，5≤x≤30，45≤y≤65，2≤z≤20；摻雜離子為Dy3+或Sm3+。本發(fā)明合成的玻璃的轉(zhuǎn)變溫度Tg介于280～350℃之間；玻璃初始析晶溫度Tx與Tg的差值超過(guò)100℃，玻璃態(tài)穩(wěn)定性好，易于拉制光纖；稀土離子發(fā)射能級(jí)壽命長(zhǎng)，發(fā)射截面大，使用此稀土摻雜玻璃預(yù)制棒拉制的光纖可應(yīng)用于光纖放大器。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【申請(qǐng)人類(lèi)型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200050上海市定西路1295號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】長(zhǎng)寧區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610119432.X 【申請(qǐng)日】2006-12-11 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN101016194A 【公開(kāi)公告日】2007-08-15 【公開(kāi)公告年份】2007 【IPC分類(lèi)號(hào)】C03C3/32 【發(fā)明人】楊志勇; 陳瑋; 羅瀾; 唐高 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種稀土摻雜硫系鹵化物玻璃材料，其化學(xué)式為(100-x-y-z) Ge-xGa-ySe-zMX， 其中，M為K或Rb或Cs；X為Cl或Br或I，5≤x≤30， 45≤y≤65，2≤z≤20，稀土離子摻雜濃度質(zhì)量百分比為0.05％～ 1％。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】上海市定西路1295號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425006547H 【引證次數(shù)】2.0 【被引證次數(shù)】1 【自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】1
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