【摘要】本發(fā)明涉及微機械紅外熱電堆探測器結構及其 制作方法，其特征在于作為紅外吸收層的懸浮膜結構具有多種 形狀的腐蝕開口，使用各向同性的干法刻蝕從正面腐蝕襯底形 成懸浮膜結構釋放器件。探測器的襯底和懸浮于框架中間的紅 外吸收層分別構成熱電堆
【摘要】 一種高體電阻率鉍層狀結構壓電陶瓷材料及其制備方法，屬于陶瓷組成與制備領域。鉍層狀型壓電陶瓷材料的化學通式為：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－；其中，SrBi4Ti4O15相對應的化學式為：(Bi2O2)2+(SrBi2Ti4O13)2－，A位是Sr2+、Bi3+離子，B位是Ti4+離子，m＝4。本發(fā)明采用行星球磨、敞開粉末合成、敞開燒結的壓電陶瓷工藝進行制備，材料的主要性能為：ε33T/ε0＝160±20，tanδ＝0.28％，Tc＝530℃，d33＝21pC/N，ρv(400℃)＝1.2×1010Ω·cm，可以制成各種形狀的壓電陶瓷元件，且能在室溫至400℃范圍內(nèi)反復使用。利用這種材料制得的陶瓷元件，組裝成各種壓電傳感器，可以在高溫條件下的測量、探測與自動控制方面獲得廣泛應用。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市定西路1295號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610147890.4 【申請日】2006-12-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1986485A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1986485B 【授權公告日】2012-08-08 【授權公告年份】2012.0 【IPC分類號】C04B35/462; C04B35/475; C04B35/622; H01L41/187; H01L41/18 【發(fā)明人】李玉臣; 周志勇; 包紹明; 姚烈; 董顯林 【主權項內(nèi)容】1、一種高體電阻率鉍層狀結構壓電陶瓷材料及其制備方法， 其配方為： (Bi2O2)2+(Sr1-x-y-aCaxBayBi2+zTi4O13)2-+bmol％Nb2O5+cmol％Sm2O3+dmol ％Cr2O3。 【當前權利人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區(qū)定西路1295號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006547H 【被引證次數(shù)】1 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】1
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