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微機(jī)械熱電堆紅外探測器及其制作方法

時間:2026-04-06    作者:admin 點(diǎn)擊: ( 1 ) 次

【摘要】 本發(fā)明涉及微機(jī)械紅外熱電堆探測器結(jié)構(gòu)及其 制作方法,其特征在于作為紅外吸收層的懸浮膜結(jié)構(gòu)具有多種 形狀的腐蝕開口,使用各向同性的干法刻蝕從正面腐蝕襯底形 成懸浮膜結(jié)構(gòu)釋放器件。探測器的襯底和懸浮于框架中間的紅 外吸收層分別構(gòu)成熱電堆的冷結(jié)區(qū)和熱結(jié)區(qū),支撐臂連接框架 和紅外吸收區(qū)并承載熱電堆;中間懸浮的紅外吸收層帶有不同 形狀的腐蝕開口,作為干法刻蝕工作氣體進(jìn)入襯底進(jìn)行反應(yīng)的 通道。采用了標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中最常見的材料,便于實(shí)現(xiàn)和信 號處理電路的集成。使用了選擇性很好的干法刻蝕形成紅外吸 收層,相比傳統(tǒng)的濕法腐蝕不僅簡化了工藝流程,降低了對光 刻機(jī)的要求;同時不需考慮對其它材料的破壞,拓寬了探測器 可用材料的范圍。 更多數(shù)據(jù):www.macrodatas.cn 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)長寧路865號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610118474.1 【申請日】2006-11-17 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1960017A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100440561C 【授權(quán)公告日】2008-12-03 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L35/32; H01L35/34; G01J1/42; G01J5/12; H01L35/00 【發(fā)明人】熊斌; 楊恒昭; 李鐵; 王翊; 王躍林 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、微機(jī)械熱電紅外探測器,其特征在于所述探測器是由襯底、框架、 熱電堆、支撐臂、紅外吸收層和腐蝕開口六部分構(gòu)成;襯底和懸浮于框架中 間的紅外吸收層分別構(gòu)成熱電堆的冷結(jié)區(qū)和熱結(jié)區(qū),支撐臂連接框架和紅外 吸收區(qū)并承載熱電堆;中間懸浮的紅外吸收層帶有不同形狀的腐蝕開口,作 為干法刻蝕工作氣體進(jìn)入襯底進(jìn)行反應(yīng)的通道。 來源:馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長寧區(qū)長寧路865號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數(shù)】27 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】26.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】27

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    發(fā)布時間:2026-04-06

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