【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請人】上海永繼電氣有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201515上海市金山區(qū)金石南路2239號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】金山區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630039323.8【申請日】200
【摘要】 本發(fā)明涉及一種MEMS微型高靈敏度磁場傳感 器及制作方法，其特征在于所述的磁場傳感器是由雙端固置式 MEMS扭轉(zhuǎn)微鏡、磁性敏感薄膜和雙光纖準(zhǔn)直器構(gòu)成；金屬反 饋電極和磁性敏感薄膜之間形成器件扭轉(zhuǎn)間隙；通過調(diào)節(jié)架， 利用光學(xué)封裝樹脂，完成與雙光纖準(zhǔn)直器的封接。其制作方法 特征是利用MEMS技術(shù)制作微磁敏感結(jié)構(gòu)與光纖檢測技術(shù)結(jié) 合，包括傳感器基底及反饋電極制作、傳感器磁場薄膜的制作、 器件鍵合、整體減薄及反射鏡面的制作以及器件扭轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)釋放 四大步驟，所提供的磁場傳感器最小可敏感到60nT的微弱磁 場，靈敏度達(dá)0.6dB/μT。有利于批量生產(chǎn)和器件成本的降低。 來源：馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)長寧路865號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610030766.X 【申請日】2006-09-01 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1912646A 【公開公告日】2007-02-14 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN1912646B 【授權(quán)公告日】2011-05-11 【授權(quán)公告年份】2011.0 【IPC分類號】G01R33/02; G01R33/032; G03F7/00 【發(fā)明人】吳亞明; 劉玉菲; 李四華; 萬助軍 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種MEMS微型高靈敏度磁場傳感器，其特征在于所述的磁場傳感 器是由雙端固置式MEMS扭轉(zhuǎn)微鏡、磁性敏感薄膜和雙光纖準(zhǔn)直器構(gòu)成； 金屬反饋電極和磁性敏感薄膜之間形成器件扭轉(zhuǎn)間隙；通過調(diào)節(jié)架，利用光 學(xué)封裝樹脂，完成與雙光纖準(zhǔn)直器的封接。。馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長寧區(qū)長寧路865號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數(shù)】27 【被自引次數(shù)】4.0 【被他引次數(shù)】23.0 【家族引證次數(shù)】9.0 【家族被引證次數(shù)】30
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