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鎵砷鋁鎵砷甚長波量子阱紅外探測器

時間:2026-04-05    作者:admin 點擊: ( 1 ) 次

【摘要】 本發(fā)明公開了一種鎵砷/鋁鎵砷甚長波量子阱紅外探測器,該探測器與傳統(tǒng)甚長波量子阱紅外探測器的區(qū)別在于它是由低摻雜的電極層和高摻雜的量子阱層構(gòu)成。在深低溫器件工作溫度下,量子阱層摻雜的適度提高不會使整個器件的暗電流明顯變化,此時量子阱器件電極層的摻雜濃度的降低,使整個器件暗電流和噪聲顯著下降;高摻雜的量子阱層使整個器件的光吸收系數(shù)顯著增強;相比傳統(tǒng)的鎵砷/鋁鎵砷甚長波量子阱紅外探測器,本發(fā)明的甚長波量子阱紅外探測器的探測率得到顯著提升。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200083上海市玉田路500號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610148069.4 【申請日】2006-12-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1996622A 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100461465C 【授權(quán)公告日】2009-02-11 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L31/111; H01L31/101 【發(fā)明人】陸衛(wèi); 熊大元; 李寧; 甄紅樓; 張波; 陳平平; 李天信; 陳效雙; 李志鋒 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種鎵砷/鋁鎵砷甚長波量子阱紅外探測器,包括:GaAs襯底層(1), 在GaAs襯底層上通過分子束外延或金屬有機化學(xué)汽相沉積依次逐層生長: n型摻雜的GaAs下電極(2); 50個周期的多量子阱層(3); 55-60nm的AlxGa1-xAs勢壘層(4); n型摻雜的GaAs上電極層(5); 其特征在于: 所說的n型摻雜電極層的摻雜濃度范圍在1.0-2.0×1017cm-3; 所說的AlxGa1-xAs勢壘層(4),其中x=0.14-0.15; 所說的50個周期的多量子阱層(3),每個周期包括1個55-60nm的AlxGa1-xAs 勢壘層,其中x=0.14-0.15;1個6-7nm的GaAs量子阱層,其中量子阱層的摻雜 濃度范圍為1.0-2.0×1018cm-3。。(macrodatas.cn) (來 自 馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng)) 【當前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【當前專利權(quán)人地址】上海市玉田路500號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數(shù)】2 【被自引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】4

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