【摘要】本實用新型涉及一種用于太陽能烤煙房的旋轉 式烤煙架，其主要特征是在直立的中軸上裝有可旋轉 的套管，在套管上焊有若干個固定輪盤，在每個固定 輪盤上可以沿徑向設有若干輪輻，輪輻之間可聯(lián)接邊 撐、橫撐等，上述若干層固定輪盤及其輪輻由若干個
【摘要】 本發(fā)明是一種提高晶體管性能的新方法，能廣泛 應用于晶體管、集成電路的生產。本發(fā)明要點是在室 溫和真空中用Ar+束輻照管芯背面來提高或調節(jié)hFE 和fT，它既完全克服了現(xiàn)有技術存在的缺點和問題， 又能與常規(guī)生產工藝兼容，不僅能方便地調節(jié)或大幅 度提高hFE和fT，又能保持晶體管的縱橫結構參數(shù)和 反向擊穿特性不變。同時，易于避免雜質玷污，有利 于產品穩(wěn)定性的提高。 來源：馬 克 團 隊 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】華南理工大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】510641廣東省廣州市天河區(qū)五山 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】廣州市 【申請人區(qū)縣】天河區(qū) 【申請?zhí)枴緾N91100365.7 【申請日】1991-01-16 【申請年份】1991 【公開公告號】CN1053322A 【公開公告日】1991-07-24 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1021094C 【授權公告日】1993-06-02 【授權公告年份】1993.0 【IPC分類號】H01L21/02; H01L21/322; H01L21/70; H01L21/26 【發(fā)明人】曾紹鴻; 李觀啟; 黃美淺; 曾勇彪 【主權項內容】一種提高晶體管性能的方法，其特征在于：把晶體管管芯片，分別用甲苯、丙酮、無水乙醇等有機溶劑經超聲波依次清洗并烘干，然后把芯片背面朝上放置入氬離子束鍍膜刻蝕機的A+r離子束輻照區(qū)內工作臺上，襯底為室溫、關閉裝片口密封閘門，把機內工作室抽真空至(4～6.65)×10-3Pa，開啟充A+r氣的電磁閥，充入高純度氬氣，使真空度為(2.7～4)×10-2Pa，用能量為300～950eV、束流為0.10～0.95mAcm-2的A+r束輻照10～90分鐘。。（來 自 馬 克 數(shù) 據(jù) 網） 【當前權利人】華南理工大學 【當前專利權人地址】廣東省廣州市天河區(qū)五山 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000455414429R 【被引證次數(shù)】8.0 【被自引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】9.0
未經允許不得轉載：http://m.duba2008.cn/1775254719.html
喜歡就贊一下
