【摘要】含有一個p+區(qū)與n+區(qū)之間的耐壓區(qū)的半導體功 率器件,其特性是用包括有二種導電類型的材料相間 排列組成的復合緩沖層(CB層)的耐壓區(qū)代替了以 往的一種導電類型的耐壓區(qū)。本發(fā)明還提供了復合 緩沖層不同圖形的設計規(guī)范。采用本發(fā)明可以得到
【摘要】 更新系列藥品帖是一種平面印刷品,僅有主視圖,省略其它視圖。 使用狀態(tài)參考圖1 使用狀態(tài)參考圖2 【專利類型】外觀設計 【申請人】山東新華制藥廠 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】255005山東省淄博市張店區(qū)東一路14號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】淄博市 【申請人區(qū)縣】張店區(qū) 【申請?zhí)枴緾N91303132.1 【申請日】1991-01-14 【申請年份】1991 【公開公告號】CN3009968S 【公開公告日】1991-06-26 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN3009968S 【授權公告日】1991-06-26 【授權公告年份】1991.0 【發(fā)明人】蔣則涌; 楊薇 【主權項內(nèi)容】無 【當前權利人】山東新華制藥廠 【當前專利權人地址】山東省淄博市張店區(qū)東一路14號 【專利權人類型】國有企業(yè)
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