【摘要】一種液相外延等電子摻雜工藝,其特征是在電子 器件制造過程中先用生長源在一定溫度下,在襯底上 生長一層等電子摻雜層,然后再進(jìn)行器件制造的外延 生長工藝。該工藝操作方便;可使報(bào)廢的高位錯(cuò)密度 的砷化鎵襯底得到重新應(yīng)用;使制造的電子器件性
【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請人】王傳慶 【申請人類型】個(gè)人 【申請人地址】253016山東省德州地區(qū)林業(yè)局 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】德州市 【申請?zhí)枴緾N90301473.4 【申請日】1990-08-03 【申請年份】1990 【公開公告號(hào)】CN3008515S 【公開公告日】1991-03-13 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號(hào)】CN3008515S 【授權(quán)公告日】1991-03-13 【授權(quán)公告年份】1991.0 【發(fā)明人】王傳慶 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】王傳慶 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】山東省德州地區(qū)林業(yè)局
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