【摘要】一種枕頸固定器，采用00Cr17Ni14M02材料加 工制成枕板和頸環(huán)，并同魯格氏鋼絲、髂骨板構(gòu)成頸 環(huán)長700～900mm，外框?qū)?8mm的U型固定器。 應(yīng)用本固定器治療頸椎骨折或不穩(wěn)定患者作枕頸固 定術(shù)，能夠增加固定強度，減少并
【摘要】 一種液相外延等電子摻雜工藝，其特征是在電子 器件制造過程中先用生長源在一定溫度下，在襯底上 生長一層等電子摻雜層，然后再進(jìn)行器件制造的外延 生長工藝。該工藝操作方便；可使報廢的高位錯密度 的砷化鎵襯底得到重新應(yīng)用；使制造的電子器件性能 穩(wěn)定，成品率高，成本低。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】河北工學(xué)院 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】300130天津市紅橋區(qū)丁字沽一號路 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】天津市 【申請人區(qū)縣】紅橋區(qū) 【申請?zhí)枴緾N90109987.2 【申請日】1990-12-18 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1052005A 【公開公告日】1991-06-05 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1017486B 【授權(quán)公告日】1992-07-15 【授權(quán)公告年份】1992.0 【IPC分類號】H01L21/208; C30B19/02; H01L21/22; C30B19/00; H01L21/02 【發(fā)明人】劉文杰; 陳諾夫 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種液相外延等電子摻雜工藝，是將生長源加熱熔融，然后慢慢降溫，在襯底上生長一層外延層，其特征在于：在電子器件制造過程中先在襯底上進(jìn)行等電子摻雜工藝，其工藝步驟是： ①將砷化鎵襯底和生長源送入有保護(hù)氣氛存在下的爐中升溫熔融； ②在800-900℃時熔煉生長源2-4小時； ③然后以0.2-1.5℃/分的速率降溫，當(dāng)溫度降至800-700℃時，開始生長等電子摻雜層，生長時間為10-40分鐘； ④其后繼續(xù)生長制造器件所需要的外延層。 關(guān)注公眾號馬克數(shù)據(jù)網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】河北工學(xué)院 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】天津市紅橋區(qū)丁字沽一號路 【引證次數(shù)】3.0 【他引次數(shù)】3.0 【家族引證次數(shù)】3.0
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