【摘要】本發(fā)明公開了一種用半導(dǎo)體加工技術(shù)制作表盤 的工藝方法,該方法包括應(yīng)用濺射、真空蒸發(fā)、氧化、 氣相淀積等工藝方法在表盤基片形成具有裝飾性的 彩色薄膜,之后應(yīng)用光蝕刻工藝方法在該薄膜層上刻 蝕形成表盤計(jì)時(shí)刻度、文字、商標(biāo)、圖案和微雕藝術(shù)
【摘要】 1.左視圖與右視圖對稱,省略左視圖。 2.該產(chǎn)品可以從兩面開鎖。 來自:www.macrodatas.cn 【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請人】高天龍 【申請人類型】個(gè)人 【申請人地址】130000吉林省長春市普陽街陽光胡同2-1-211號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】長春市 【申請人區(qū)縣】綠園區(qū) 【申請?zhí)枴緾N90303715.7 【申請日】1990-12-08 【申請年份】1990 【公開公告號】CN3009883S 【公開公告日】1991-06-19 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN3009883S 【授權(quán)公告日】1991-06-19 【授權(quán)公告年份】1991.0 【發(fā)明人】高天龍 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】高天龍 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】吉林省長春市普陽街陽光胡同2-1-211號
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