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耐高電壓的場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管固體組件

時(shí)間:2026-03-26    作者:admin 點(diǎn)擊: ( 2 ) 次

【摘要】 本實(shí)用新型為一種耐高電壓的場(chǎng)效應(yīng)功率晶體 管固體組件,它是由若干個(gè)VMOS增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)功 率晶體管互相串聯(lián),加上均壓電阻和提供給各單個(gè) VMOS增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的柵極偏壓的電阻 網(wǎng)絡(luò)共同組成的,以絕緣材料封裝成一體。其功能相 當(dāng)于一個(gè)VMOS場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管,可承受萬(wàn)伏以 上的高電壓,額定輸出電流達(dá)數(shù)安培,適合取代電子 管作高電壓放大、穩(wěn)壓和穩(wěn)流之用。 【專(zhuān)利類(lèi)型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】譚金發(fā) 【申請(qǐng)人類(lèi)型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】湖南省衡陽(yáng)市黃茶路194號(hào)(衡陽(yáng)半導(dǎo)體廠 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】衡陽(yáng)市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】雁峰區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N89212001.0 【申請(qǐng)日】1988-12-29 【申請(qǐng)年份】1988 【公開(kāi)公告號(hào)】CN2068725U 【公開(kāi)公告日】1991-01-02 【公開(kāi)公告年份】1991 【授權(quán)公告號(hào)】CN2068725U 【授權(quán)公告日】1991-01-02 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】H01L25/11; H01L29/784; H01L25/10 【發(fā)明人】譚金發(fā) 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種耐高電壓的場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管固體組件,其特征在于:它是由(N+1)個(gè)(N為大于1的整數(shù))VMOS增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管T1~TN+1依次串聯(lián)起來(lái),(N+1)個(gè)均壓電阻R1~RN+1也依次串聯(lián)起來(lái),N對(duì)電阻R11和R12,R21和R22,……RN1和RN2它們也分別串聯(lián)起來(lái),按照(1)將電阻R11和R12的串聯(lián)點(diǎn),R21和R22的串聯(lián)點(diǎn),……RN1和RN2的串聯(lián)點(diǎn)分別接到T1的柵極(C1)、T2的柵極(C2),……TN的柵極(CN)各點(diǎn)上;(2)將電阻R11、R21……RN1的一端分別對(duì)應(yīng)地接到(N+1)個(gè)依次串聯(lián)的均壓電阻R1~RN+1的N個(gè)串聯(lián)節(jié)點(diǎn)(A1)、(A2)、……(AN)上;(3)將電阻R12、R22、……RN2的一端分別對(duì)應(yīng)地接到(N+1)個(gè)依次串聯(lián)的VMOS增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管T1~TN+1的N個(gè)串聯(lián)節(jié)點(diǎn)(B1)、(B2)、……(BN)上的方法連接它的內(nèi)部連線;以T1的漏極作為該固體組件的等效漏極;以TN+1的柵極作為該固體組件的等效柵極,以TN+1的源極作為該固體組件的等效源極。 【當(dāng)前權(quán)利人】譚金發(fā) 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】湖南省衡陽(yáng)市黃茶路194號(hào)(衡陽(yáng)半導(dǎo)體廠 【被引證次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】3.0

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