【摘要】本發(fā)明涉及一種制造平面電路新的工藝方法，其特點是不用在鋼板基板上先鍍一層“與鋼結(jié)合不太牢的銅”，而是在鋼板基板上直接涂抗蝕感光膜，感光成象、電鍍銅電路，然后連同抗蝕感光膜及銅電路一起和半固化片熱壓、固化、揭去鋼板，即制得平面電路。本
【摘要】 本發(fā)明屬于非線性光學晶體材料的制備方法領域。本發(fā)明著重提供一種改進的礦化劑，把該礦化劑應用到水熱法中生長KTP單晶，降低了水熱法生長KTP單晶的溫度、壓力，從而有利于KTP晶體生長，使之在國內(nèi)的設備上易獲得實用的大顆粒的無色、透明KTP單晶。其晶體尺寸達7×15×17mm3。 來自：馬 克 團 隊 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請人】中國科學院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】北京市603信箱 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N88108867.6 【申請日】1988-12-30 【申請年份】1988 【公開公告號】CN1014535B 【公開公告日】1991-10-30 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1014535B 【授權(quán)公告日】1991-10-30 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號】C30B29/14; C30B7/10; C30B7/00; C30B29/10; C30B29/22 【發(fā)明人】賈壽泉; 牛宏達 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種利用改進礦化劑的水熱法生長KTP單 晶的方法，包括在高壓釜底裝有KTiOPO4晶體， 高壓釜上部懸掛籽晶。其高壓釜中間有一適宜開孔 率的檔板。腔內(nèi)填充礦化劑溶液，釜腔上、下部的 加熱器分別用控溫儀控溫。中溫中壓是在生長區(qū)溫 度為360℃-420℃，溶解區(qū)溫度為370℃-450℃， 生長區(qū)與溶解區(qū)10-30℃的溫差生長30-60天， 然后以每小時0.5-20℃的速率降至室溫，所用的 礦化劑為KF+H2O2水溶液，礦化劑水溶液配比為 1-3M的KF、1-5wt％的H2O2，水溶液充滿度為 70％。 【當前權(quán)利人】中國科學院物理研究所 【當前專利權(quán)人地址】北京市603信箱 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012174C 【被引證次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】16.0
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