【摘要】本系統(tǒng)是由光筆、微型計算機(jī)和條形碼識別接口板組成的一種條形碼識別處理系統(tǒng)。系統(tǒng)采用單片微處理機(jī)對條形碼進(jìn)行記錄、判別，通過輸入輸出口與微機(jī)聯(lián)系。數(shù)據(jù)傳遞采用中斷申請方式，通過用戶接口送入鍵盤顯示緩沖區(qū)。根據(jù)用戶原程序要求，計算機(jī)即可
【摘要】 一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，它由第一導(dǎo)電類型的襯底、第二導(dǎo)電類型的源、漏區(qū)、柵氧化層和柵極構(gòu)成。村底為N型硅，源、漏區(qū)由離子注入摻雜P型硅或摻雜N型硅組成。柵氧化層采用摻氟氧化工藝，在800℃或更低溫度下氧化和氟處理形成，其界面為單個原子層平整，點(diǎn)電荷數(shù)在1×1010/厘米2量級范圍中，從而滿足了溝道載流子散射少，電流波動小以及淺結(jié)、短溝道要求。是一種高速、低噪聲晶體管。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請人】中國科學(xué)院上海冶金研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】上海市長寧區(qū)長寧路865號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N88105537.9 【申請日】1988-06-27 【申請年份】1988 【公開公告號】CN1012117B 【公開公告日】1991-03-20 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1012117B 【授權(quán)公告日】1991-03-20 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號】H01L29/784 【發(fā)明人】龍偉; 徐元森 【主權(quán)項內(nèi)容】一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，包括一個第一導(dǎo)電類型的襯底、一個第二導(dǎo)電類型的源區(qū)、一個第二導(dǎo)電類型的漏區(qū)、一個柵氧化層以及柵極。襯底為元素半導(dǎo)體硅，源、漏區(qū)由離子注入摻雜Ｐ型硅或摻雜Ｎ型硅組成，其特征在于柵氧化層和硅之間的界面為單原子級平整，界面電荷數(shù)在１×１０↑［１０］厘米↑［２］量級范圍，溝道區(qū)域的載流子有效遷移率比常規(guī)ＭＯＳＦＥＴ提高７０－１００％。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海冶金研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長寧區(qū)長寧路865號 【家族被引證次數(shù)】4.0
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