【摘要】本實用新型是一種改進的等離子真空鍍膜裝置,涉及等離子真空鍍膜設(shè)備。其特征是鍍膜罐設(shè)為水平臥置,沿鍍膜罐體外表面縱向兩側(cè)對稱的各設(shè)有一組外凸源座和離子發(fā)射源,兩側(cè)外凸源座均設(shè)于鍍膜罐體軸心水平面之上;離子發(fā)射源固置于外凸源座,每組離子
【摘要】 設(shè)計要點:下擺為收腰式。 省略其他視圖。 【專利類型】外觀設(shè)計 【申請人】張國忠 【申請人類型】個人 【申請人地址】102200北京市昌平區(qū)京科苑19號樓4單元202室 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】昌平區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630014670.5 【申請日】2006-04-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3619616D 【公開公告日】2007-03-14 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN3619616D 【授權(quán)公告日】2007-03-14 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】張國忠 【主權(quán)項內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】張國忠 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市昌平區(qū)京科苑19號樓4單元202室
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