【摘要】1.仰視圖與俯視圖對稱，省略仰視圖。 2.右視圖與左視圖對稱，省略右視圖。 3.A處為拉鏈。 （macrodatas.cn）【專利類型】外觀設計【申請人】鄭金祥【申請人類型】個人【申請人地址】650000云南省昆明市昆明經(jīng)濟開發(fā)區(qū)金
【摘要】 一種多孔SiO2薄膜的制備方法，采用平行極板式電容耦合等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備，上電極極板為雙層篩狀進氣結構，兩極板的板間距為2.5cm～3.5cm，13.56MHz的射頻信號經(jīng)匹配網(wǎng)絡聯(lián)接到上極板上，下電極極板接地，同時作為樣品臺；按常規(guī)方法對Si基片進行前期處理后固定在樣品臺上，然后對反應室抽真空至真空度達1.0×10－4Pa；反應氣體SiH4與N2O氣體流量比設置為30sccm/30sccm到30sccm/65sccm之間，N2O的濃度是SiH4的5～15倍，反應氣體壓強為5Pa到15Pa；設備的射頻功率為300W到450W，襯底溫度為25℃到60℃，在低溫下連續(xù)沉積獲得孔隙率在29％～47％從幾百納米到幾個微米的大面積多孔SiO2薄膜；該方法工藝步驟簡單，控制性好，制備過程與半導體硅工藝完全兼容，適合于器件的集成制造。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】昆明物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】650223云南省昆明市五華區(qū)教場東路31號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】昆明市 【申請人區(qū)縣】五華區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610163825.0 【申請日】2006-12-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1974839A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100497730C 【授權公告日】2009-06-10 【授權公告年份】2009.0 【發(fā)明人】莫鏡輝; 劉黎明; 楊培志 【主權項內(nèi)容】1、一種多孔SiO2薄膜的制備方法，其特征在于步驟如下： (1)、采用平行極板式電容耦合等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設 備，按常規(guī)方法對Si基片進行前期處理后固定在樣品臺上，然后對反應室抽真 空至真空度達1.0×10-4Pa； (2)、反應氣體SiH4與N2O氣體流量比設置為30sccm/30sccm到 30sccm/65sccm之間，N2O的濃度是SiH4的5～15倍，反應氣體壓強為5Pa到 15Pa； (3)、設置等離子體增強化學氣相沉積設備的射頻功率為300W到450W， 襯底溫度為25℃到60℃，輸入反應氣體經(jīng)沉積反應得到疏松多孔SiO2薄膜。 【當前權利人】昆明物理研究所 【當前專利權人地址】云南省昆明市五華區(qū)教場東路31號 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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