【摘要】后視圖無設(shè)計內(nèi)容，省略后視圖?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計【申請人】上海冠琦禮品包裝有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】200002上海市黃浦區(qū)南京東路233號407室【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】黃浦區(qū)【申請?zhí)枴?/p>
【摘要】 本發(fā)明提供一種低溫雙離子束濺射Ge/Si多層膜自組織Ge量子點的制備方法，使用氬(Ar)氣作為工作氣體，包括兩個離子束濺射槍，其特征在于在工作室本底真空壓強小于3.0×10－4Pa，基片溫度為200℃～400℃，工作氣體(Ar)真空度為1.0×10－2Pa～4.0×10－2Pa的條件下，用雙離子束濺射技術(shù)在硅(Si)基底材料上交替濺射沉積Si空間層和Ge量子點層。它利用前一層Ge量子點所產(chǎn)生的表面應(yīng)變勢場作用，實現(xiàn)后續(xù)層Ge量子點的有序生長，提高了薄膜表面平整度和成膜質(zhì)量，獲得了高密度、尺寸均勻、能滿足量子尺寸效應(yīng)的Ge/Si多層膜自組織Ge量子點，解決了與集成電路工藝技術(shù)相兼容的問題，且生產(chǎn)成本低，易于工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)。 來源：馬 克 團 隊 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】云南大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】650091云南省昆明市五華區(qū)翠湖北路2號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】昆明市 【申請人區(qū)縣】五華區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610048899.X 【申請日】2006-12-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1974837A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100537831C 【授權(quán)公告日】2009-09-09 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】楊宇; 孔令德; 宋超; 張曙 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種低溫雙離子束濺射Ge/Si多層膜自組織Ge量子點的制備方法， 包括離子束真空濺射，并使用氬(Ar)氣作為工作氣體，其特征在于在生 長室本底壓強小于3.0×10-4Pa，基片溫度為200℃～400℃，工作氣體(Ar) 壓強為1.0×10-2Pa～4.0×10-2Pa的條件下，用雙離子束在硅(Si)基片上 交替濺射沉積Si空間層和Ge量子點層。 【當前權(quán)利人】云南大學(xué) 【當前專利權(quán)人地址】云南省昆明市呈貢區(qū)大學(xué)城東外環(huán)南路 【專利權(quán)人類型】公立 【統(tǒng)一社會信用代碼】125300004312032649 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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