【摘要】后視圖與主視圖相同，右視圖與左視圖相同，省略后視圖和右視圖。來自：馬 克 團(tuán) 隊(duì)【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】大理漾濞核桃有限責(zé)任公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】672500云南省漾濞縣沙溪鎮(zhèn)劍川縣車記地參食品廠內(nèi)【申請(qǐng)人地區(qū)】
【摘要】 本發(fā)明涉及一種在單晶硅基底表面直接制備Cr －Si硅化物電阻薄膜的方法，通過使用高Si含量的Cr－Si鑄 造合金靶材(原子比[Si]/[Cr]＞2)，利用磁控濺射法直接在單晶 Si基底上制備電阻薄膜。所制備的高Si含量的Cr－Si薄膜不 僅可以在較低的熱處理溫度使得薄膜電阻溫度系數(shù)達(dá)到± 100ppm/□之間，薄膜電阻率也比較高；而且薄膜中高Si含量 能夠有效抑制薄膜層與單晶Si基底之間的界面擴(kuò)散，減少對(duì)基 底的消耗，界面平整度好。同時(shí)采用該方法制備Cr－Si電阻薄 膜，工藝簡(jiǎn)單易行，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)成本低，所制備的電阻 薄膜表面平坦致密，熱穩(wěn)定性和電性能重復(fù)好，綜合電性能優(yōu) 異。 馬-克-數(shù)據(jù) 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】昆明理工大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】650093云南省昆明市學(xué)俯路253號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】昆明市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】五華區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610048750.1 【申請(qǐng)日】2006-10-26 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1949459A 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100431099C 【授權(quán)公告日】2008-11-05 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】H01L21/02; H01L21/822; C23C14/00; C23C14/02; C23C14/06; C23C14/35; C23C14/58 【發(fā)明人】張玉勤; 董顯平; 吳建生 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種在單晶硅基底表面直接制備Cr-Si硅化物電阻薄膜的方法，其 特征在于經(jīng)過下列工藝步驟： (1)將預(yù)先制備的Cr-Si鑄造合金靶材經(jīng)打磨后，用分析純丙酮和蒸 餾水清洗，然后在120～160℃保溫2～3小時(shí)，以去除表面油污等雜質(zhì)； (2)將拋光單晶Si片用氫氟酸∶水＝1∶50的體積比的氫氟酸溶液去 除表面氧化物，再用分析純丙酮和蒸餾水充分清洗，之后在60～90℃保溫 1～2小時(shí)； (3)將步驟(1)和(2)的合金靶材及單晶Si基片放入磁控濺射儀中， 在下列濺射條件下，先對(duì)靶材預(yù)濺射5～10min，去除表面雜質(zhì)后，再對(duì)靶 材進(jìn)行濺射，即得薄膜，濺射條件：濺射室本底真空度為1×10-4Pa，濺射 功率300～350W，Ar氣壓力0.4～0.5Pa； (4)將(3)步驟制成的薄膜放入熱處理爐中加熱，加熱至薄膜的電 阻溫度系數(shù)達(dá)±100ppm/℃時(shí)，停止熱處理，冷卻至室溫，得Cr-Si硅化物 電阻薄膜。 【當(dāng)前權(quán)利人】昆明理工大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】云南省昆明市學(xué)俯路253號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】125300004312044864 【被引證次數(shù)】7 【被他引次數(shù)】7.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】7
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