【摘要】高純砷的生產(chǎn)方法。涉及一種半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料超高純α型砷的生產(chǎn)方法。本發(fā)明采用了以下幾個步驟:首先是將砷和鉛按1∶1.5~4的比例形成鉛砷合金;然后,通過將鉛砷合金在真空環(huán)境中通過加熱進行分離,制得純度為99.999%砷和鉛砷合金;再將
【摘要】 1.后視圖與主視圖對稱、右視圖與左視圖對稱,省略后視圖和右視圖。 2.圖中A部分透明。 【專利類型】外觀設(shè)計 【申請人】郭敏 【申請人類型】個人 【申請人地址】650031云南省昆明市五華區(qū)東風西路瓦倉北路瓦倉莊小區(qū)48號3-1-702 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】昆明市 【申請人區(qū)縣】五華區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630020981.2 【申請日】2006-07-07 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3639270D 【公開公告日】2007-05-02 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN3639270D 【授權(quán)公告日】2007-05-02 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】歐陽岱璿 【主權(quán)項內(nèi)容】無 【當前權(quán)利人】郭敏 【當前專利權(quán)人地址】云南省昆明市五華區(qū)東風西路瓦倉北路瓦倉莊小區(qū)48號3-1-702
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