【摘要】一種熱蒸發(fā)法合成小直徑單晶SiC納米絲有序陣列的方法,屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用硅片作為反應(yīng)襯底和硅源,以固態(tài)碳材料為前驅(qū)體,以ZnS粉末為輔助劑,以惰性氣體氬氣為保護(hù)氣體及載氣,進(jìn)行氧化還原反應(yīng),從而在硅片上成核并生長成大量
【摘要】 平面設(shè)計省略其他視圖。 【專利類型】外觀設(shè)計 【申請人】何憶澍 【申請人類型】個人 【申請人地址】201101上海市閔行區(qū)龍茗路1699弄4號1102室 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630034655.7 【申請日】2006-03-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3624073D 【公開公告日】2007-03-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN3624073D 【授權(quán)公告日】2007-03-21 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】袁卉 【主權(quán)項內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】何憶澍 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)龍茗路1699弄4號1102室
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