【摘要】背面無(wú)設(shè)計(jì)要點(diǎn)，省略后視圖?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】上海漢光知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)據(jù)科技有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】200041上海市長(zhǎng)寧區(qū)國(guó)定路335號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】上海市【申請(qǐng)人區(qū)縣】長(zhǎng)寧區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N
【摘要】 一種碳納米管/銅復(fù)合鍍膜及電互連引線的制備 方法，屬于電子材料與器件領(lǐng)域。本發(fā)明將經(jīng)純化、分散修飾 后的碳納米管配制成穩(wěn)定分散的碳納米管—銅復(fù)合鍍液，通過(guò) 電化學(xué)或化學(xué)沉積方法制備碳納米管—銅復(fù)合鍍層，進(jìn)一步結(jié) 合微結(jié)構(gòu)電鍍、光刻刻蝕、剝離方法，形成微互連引線結(jié)構(gòu)。 本發(fā)明利用導(dǎo)電、導(dǎo)熱特性優(yōu)異的碳納米管作為功能添加材 料，通過(guò)復(fù)合沉積的方法將碳納米管均勻結(jié)合到銅基質(zhì)材料 中，可以顯著地改善器件的電子傳輸能力和散熱性能，消除電 遷移對(duì)器件性能的影響。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、易行，與現(xiàn)有工藝 有較強(qiáng)的兼容性，有助于實(shí)施和推廣應(yīng)用。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】上海交通大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610116290.1 【申請(qǐng)日】2006-09-21 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1929110A 【公開公告日】2007-03-14 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100466222C 【授權(quán)公告日】2009-03-04 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】張亞非; 徐東 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種制備碳納米管/銅復(fù)合薄膜以及電互連引線的方法，其特征在于：將經(jīng) 純化、分散處理后的碳納米管配制成穩(wěn)定分散的碳納米管-銅復(fù)合鍍液，采用電化 學(xué)和化學(xué)方法制備碳納米管-銅復(fù)合鍍層，并結(jié)合微結(jié)構(gòu)電鍍、光刻刻蝕、剝離技 術(shù)，形成電子電路的互連引線結(jié)構(gòu)，鍍膜基本參數(shù)是：復(fù)合鍍液中的碳納米管濃度 為：0.5-6g/L，電流密度為：0.5-5A/dm2；制備時(shí)采用磁力攪拌、氣動(dòng)攪拌或超聲 振動(dòng)方式保持沉積時(shí)碳納米管均勻分散和化學(xué)反應(yīng)充分進(jìn)行，沉積工藝參數(shù)為：電 流密度為1-5A/dm2，沉積溫度為25℃。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】4
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