【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請人】上海精益電器廠有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】200051上海市中山西路333號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】長寧區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630037538.6【申請日】2006-0
【摘要】 本發(fā)明涉及一種以高純度、低介電常數(shù)的二氧化硅結(jié)合的Si3N4多孔陶瓷及制備方法，其特征在于石墨為造孔劑、以外加或氮化硅顆粒表面氧化生成的二氧化硅為結(jié)合相的氮化硅多孔陶瓷利用外加和氮化硅顆粒表面氧化生成的二氧化硅在高溫下的燒結(jié)把氮化硅顆粒結(jié)合起來，利用粉料顆粒堆積成孔或造孔劑氧化燒除成孔，從而得到二氧化硅結(jié)合的氮化硅多孔陶瓷。Si3N4∶SiO2∶石墨＝0～100∶0～30∶0～25(重量比)，加入酚醛樹脂和乙醇，混合后球磨、烘干、研磨、過篩、干壓成型，然后在空氣中燒成，得到二氧化硅結(jié)合的氮化硅多孔陶瓷。所得多孔陶瓷的抗彎強(qiáng)度可達(dá)137MPa，總孔隙率10～60％，常溫介電常數(shù)2～7(1GHz)，可用于常溫和高溫環(huán)境下使用的天線罩、催化劑載體等材料。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請人】中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市定西路1295號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610024146.5 【申請日】2006-02-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1331812C 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN1331812C 【授權(quán)公告日】2007-08-15 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】C04B35/584; C04B38/00; C04B35/622 【發(fā)明人】曾宇平; 丁書強(qiáng); 江東亮 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種二氧化硅結(jié)合的氮化硅多孔陶瓷，其特征在于以Si3N4為基體，以外加 SiO2和Si3N4顆粒表面氧化生成的SiO2作為結(jié)合相將Si3N4顆粒結(jié)合起來，石 墨為造孔劑，得到的多孔陶瓷總孔隙率為1O～60％；所述的Si3N4∶SiO2∶石 墨的重量比為50～100∶0～30∶0～25。。 （更多數(shù)據(jù)，詳見馬克數(shù)據(jù)網(wǎng)） 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市定西路1295號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006547H 【引證次數(shù)】8.0 【被引證次數(shù)】1 【他引次數(shù)】8.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】8.0 【家族被引證次數(shù)】8
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