【專利類型】外觀設計【申請人】上海頂新箱包有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201500上海市金山區(qū)朱涇鎮(zhèn)亭楓公路3168號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】金山區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630035475.0【申請日】
【摘要】 本發(fā)明涉及一種用濕法腐蝕工藝制作截面為直角三角形的納米梁加工方法，其特征在于利用(100)晶向硅材料各向異性腐蝕特性，納米梁形成后腐蝕即自動停止；形成梁的橫截面為直角三角形，所述直角三角形的斜而為(111)面，側面是(110)面，底面是(100)面，梁的斜面和底面寬度由梁的高度決定，是用氧化法進行控制的。本發(fā)明巧妙利用各向異性干法腐蝕特性和硅各向異性濕法腐蝕特性，只需一塊光刻版就可實現納米梁結構的加工。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)長寧路865號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610148119.9 【申請日】2006-12-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101062761A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN101062761B 【授權公告日】2010-09-29 【授權公告年份】2010.0 【IPC分類號】B81C1/00 【發(fā)明人】許科峰; 楊恒; 王躍林 【主權項內容】1、一種用濕法腐蝕工藝制作截面為直角三角形的納米梁加工方法，其 特征在于利用(100)晶向硅材料各向異性腐蝕特性，納米梁形成后腐蝕即 自動停止；形成梁的橫截面為直角三角形；具體工藝步驟是： (a)臺階的制作和減薄 ①臺階的制作使用光刻—刻蝕工藝： 先進行一次光刻，光刻時臺階方向和硅片(100)切邊方向垂直，然后 用光刻膠作掩膜，等離子刻蝕掉窗口中的上層硅，從而形成臺階； ②利用氧化減薄方法，進行臺階減薄，形成的氧化層的厚度和消耗硅 的厚度關系是： 消耗硅的厚度＝氧化層的厚度×0.46； (b)側壁保護 用PECVD生長一層氮化硅，接著進行一次光刻，使梁的兩端被光刻膠 保護，然后進行兩次干法刻蝕，分別刻蝕掉氮化硅和氧化硅；使臺階上的硅 暴露出來； (c)梁的成型 在步驟(b)完成側壁保護后，用KOH腐蝕臺階，使腐蝕從臺階的上表 面向下進行，直至露出埋層氧化硅，同時自動形成(111)面； (d)梁結構的釋放 用HF腐蝕埋層氧化硅實現梁結構的釋放，同時使梁的側壁和兩端的氮 化硅和氧化硅被腐蝕掉。。 （macrodatas.cn） 【當前權利人】中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區(qū)長寧路865號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數】3 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】3
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