【專利類型】外觀設計【申請人】上?？雕R電器有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201515上海市金山區(qū)錢圩鎮(zhèn)呂張公路1018號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】金山區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630034624.1【申請日】
【摘要】 本發(fā)明涉及一種旨在獲得低閾值電流密度、高邊 模抑制比的可調諧分布反饋量子級聯(lián)激光器的波導和光柵結 構，并發(fā)明了實現(xiàn)設計結構要求的激光器一級光柵的制備方 法。所述的激光器波導與光柵結構是一種利用一個深的一級光 柵和一個在光柵下方的薄的重摻雜半導體層構成波導中的限 制結構。所述的光柵腐蝕技術是利用InGaAs/InP結構作為光柵 的腐蝕犧牲層，選擇不同的腐蝕液配比，獲得深度大范圍可調， 精度可控的光柵結構。 更多數據：www.macrodatas.cn 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)長寧路865號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610030991.3 【申請日】2006-09-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1945910A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100405681C 【授權公告日】2008-07-23 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01S5/12; H01S5/20; H01S5/343; H01S5/00 【發(fā)明人】徐剛毅; 李耀耀; 李愛珍 【主權項內容】1、一種可調諧分布反饋量子級聯(lián)激光器的波導與光柵的結構，其特征 在于所述的分布反饋量子級聯(lián)激光器的波導與光柵結構為：在n型InP襯底 上依次為InGaAs下波導層、InGaAs/AlInAs有源區(qū)、InGaAs上波導層中等 摻雜InP限制層、重摻雜n型重摻雜InP限制層和InGaAs帽層；n型重摻雜 InP限制層和InGaAs帽層為光柵的腐蝕層，控制重摻雜InP層的厚度以及光 柵腐蝕的深度，使得一級光柵的深度≥0.5μm，光柵溝槽下方未被腐蝕的InP重摻雜層為0.1μm，摻雜濃度以及各層厚度應視激光器具體波長，結合波導 理論的數值計算而定。 【當前權利人】中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區(qū)長寧路865號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數】5 【被自引次數】3.0 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】5
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